Univerzita Pardubice Fakulta chemicko- technologická

Univerzita Pardubice

Zaměstnanci
|
Studenti
English

Publikace detail

METHOD OF FORMING A METALLIC CONDUCTIVE FILAMENT AND RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE FOR CARRYING OUT THE METHOD

Autoři: Wágner Tomáš | Zhang Bo

Rok: 2020

Druh publikace: patent

Strana od-do: nestránkováno

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Metoda přípravy kovových vodivých vláken a RAM zařízení	Tento úkol byl vyřešen vývojem způsobu formování kovového vodivého vlákna v zařízení založeném na ECM podle tohoto vynálezu. Rozpuštění aktivní elektrody často vede k selhání zařízení. Nicméně zařízení RRAM na bázi ECM lze vyrobit s oběma inertními elektrodami. Aspekt vynálezu vytváří kombinaci článků v jediném zařízení, což umožňuje, aby jeden článek na bázi ECM pracoval se dvěma inertními elektrodami. Existují dva způsoby formování kovového vodivého vlákna v zařízení založeném na ECM: Metoda 1: Zařízení založené na ECM zahrnuje buňku inertní inertní elektrody a buňku inertní aktivní elektrody. Buňka inertní inertní elektrody a buňka inertní aktivní elektrody jsou zapojeny do série v sériovém zapojení. Buňka inertní inertní elektrody zahrnuje spodní inertní elektrodu, která je spojena se zápornou elektrodou zdroje napětí, a buňka inertní aktivní elektrody zahrnuje horní aktivní elektrodu, která je spojena s kladnou elektrodou zdroje napětí. Zpočátku je inertní aktivní elektrodový článek v zařízení založeném na ECM přednastaven na nízký odpor při předpětí, které je vyšší než předpětí prahové hodnoty SET v odděleném obvodu, aby mělo silné vlákno. Během procesu SET zařízení, protože buňka inertní aktivní elektrody byla ve stavu s nízkým odporem, je pouze buňka inertní inertní elektrody přepnuta z vysoce odolného stavu do stavu nízkého odporu při zkreslení prahové hodnoty SET. Ag ionty v elektrolytu inertního inertního elektrodového článku se redukují na Ag vlákno. Mezitím je aktivní elektroda Ag v buňce inertní aktivní elektrody oxidována na ionty Ag a migrována do elektrolytu inertní aktivní elektrodové buňky. A vlákno v buňce inertní aktivní elektrody je tlustší než vlákno v buňce inertní inertní elektrody. Proto se vlákno v buňce inertní inertní elektrody během procesu RESET rozpouští jinak než vlákno v buňce inertní aktivní elektrody. I když lze odpor inertního aktivního elektrodového článku v zařízení přepnout na vysoce odolný stav během procesu RESET, v elektrol	Metalický vodivý filament; RAM zařízení
eng	METHOD OF FORMING A METALLIC CONDUCTIVE FILAMENT AND RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE FOR CARRYING OUT THE METHOD	This task has been resolved by development of a method of forming a metallic conductive filament in an ECM based device according to present invention. The dissolution of active electrode often leads to the failure of device. Nevertheless, an ECM based RRAM device can be fabricated with both inert electrodes. An aspect of the invention creates a combination of cells in a single device, which makes possible for a single ECM based cell working with two inert electrodes. There are two methods of forming a metallic conductive filament in an ECM based device: Method 1: The ECM based device comprises an inert-inert electrode cell and an inert-active electrode cell. The inert-inert electrode cell and the inert-active electrode cell are connected in series in a serial connection. The inert-inert electrode cell comprises a bottom inert electrode which is connected with a negative electrode of a voltage source and the inert-active electrode cell comprises a top active electrode of which is connected with a positive electrode of the voltage source. Initially, the inert-active electrode cell in the ECM based device is preset to low resistance under a bias which is higher than the SET threshold bias in a separated circuit, in order to have thick filament. During the SET process of device, as the inert-active electrode cell has been in low resistance state, only the inert-inert electrode cell is switched from high resistant state to low resistant state at the SET threshold bias. The Ag ions in the electrolyte of the inert-inert electrode cell are reduced to Ag filament. Meanwhile, the Ag active electrode in inert-active electrode cell is oxidized into Ag ions and migrated into electrolyte of the inert-active electrode cell. And the filament in the inert-active electrode cell is thicker than that in the inert-inert electrode cell. Therefore, the filament in the inert-inert electrode cell dissolves other than that in the inert-active electrode cell, during RESET process. Although t	METALLIC CONDUCTIVE FILAMENT; RAM DEVICE