Přejít k hlavnímu obsahu

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Anomalous temperature dependence of the effective mass in p-type Bi2Te3
Autoři: Zelezny V | Goian V | Navrátil Jiří | Drašar Čestmír | Orlita M | Piot B. A | Prokleska J | Misek M | Kastil J | Kamba S
Rok: 2021
Druh publikace: článek v odborném periodiku
Název zdroje: Physical Review B
Název nakladatele: American Physical Society
Místo vydání: College Park
Strana od-do: 165203
Tituly:
Jazyk Název Abstrakt Klíčová slova
cze Anomální teplotní závislost efektivní hmotnosti v p-typovém Bi2Te3 Měření Infračervené odrazivosti byla provedena na p-typových monokrystalech Bi2Te3 v širokém teplotním rozmezí od 10 do 650 K a byla zkoumána jejich funkce odezvy. Byla pozorována anomální nemonotónní závislost rezonanční frekvence plazmatu na teplotě - s výrazným červeným posuvem a modrým posuvem, které se objevují nad a pod pokojovou teplotou. Takové chování je vysvětleno v rámci specifických změn poměru N/m* na teplotě díky anomální teplotní závislostí celkové koncentrace volných nopsitelů N (stanovené transportními měřeními) a charakteristickou (optickou) hmotností m*. Efektivní hmotnost se výrazně mění od m* = 0,1m0 (m0 klidová motnost elektronu) při 10 K až k m* = 0,5m0 resp. m* = 0,9m0 při 650 K v závislosti na metodice jejího určení. Interpretace tohoto jevu je potvrzena komplementárními experimenty, tj. magnetotransportem a magnetoreflektivitou. topologické izolátory; Bi2Te3; efektivní hmotnost; magneto-Seebek; band structure
eng Anomalous temperature dependence of the effective mass in p-type Bi2Te3 Infrared reflectance measurements have been carried on highly p-type Bi2Te3 crystals over the broad temperature range from 10 to 650 K and their response function investigated. An anomalous nonmonotonous temperature dependence of the plasma edge frequency is observed-with a pronounced redshift and blueshift that appear above and below room temperature, respectively. Such behavior is explained in terms of the temperature evolution of the free carrier optical weight N/m* given by particular temperature dependence of the total carrier concentration N (determined by transport measurements) and characteristic (optical) mass m*. The effective mass strongly varies from m* = 0.1m0 (m0 electron rest mass) at 10 K to m* = 0.5m0 respective m* = 0.9m0 at 650 K depending on the evaluating procedure. The interpretation is corroborated by complementary magnetotransport and magnetoreflectivity experiments. single dirac cone; topological-insulator; electronic-structure; bismuth telluride; valence-band; carrier concentration; energy-spectrum; magneto-seebeck; point-defects; transport