Publikace detail

Utilization of As50Se50 thin films in electron beam lithography

Autoři: Pálka Karel | Kurka Michal | Šlang Stanislav | Vlček Miroslav

Rok: 2021

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Materials Chemistry and Physics

Název nakladatele: Elsevier Science SA

Místo vydání: Lausanne

Strana od-do: 124052

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Využití tenkých vrstev As50Se50 v elektronové litografii	Chalkogenidová skla As50Se50 byla intenzivně studována pro jejich zajímavé fyzikální a chemické vlastnosti. Tato práce je zaměřena na možnost aplikace vakuově napařených vrstev As50Se50 pro elektronovou litografii s využitím mokrého leptání v zásaditých roztocích aminů. Tenké vrstvy As50Se50 prokázaly vysokou sensitivitu jako negativní rezist. Byl taktéž pozorován pokles leptací selektivity s nárůstem urychlovacího napětí a naopak nárůst selektivity s rostoucí expoziční dávkou. Byly pozorovány a podrobně studovány výškové nerovnoměrnosti připravených struktur, které byly spojené s rozptylem elektronového paprsku a preferenčním leptáním horních hran zapsaných objektů. Porovnání fotoindukovaných změn chemické odolnosti prokázalo stejné trendy jako v případě elektrony indukovaných změn - chemická odolnost výrazně vzrostla s rostoucí expoziční dávkou.	Chalcogenidová skla; Tenké vrstvy; Mokré leptání; Elektronová litografie
eng	Utilization of As50Se50 thin films in electron beam lithography	Chalcogenide glass of As50Se50 composition have been intensively studied for its interesting physical and chemical properties. Presented manuscript explores the applicability of As50Se50 thermally evaporated thin films in electron beam lithography exploiting wet etching in amine based solution. As50Se50 films proved to be highly sensitive negative resist. Decrease of the etching selectivity with increasing accelerating voltage and its increase with increasing exposure dose were observed. Height irregularities of prepared structures connected with the electron beam scattering and preferential etching of upper edges were observed and thoroughly studied. Comparison of photoinduced chemical resistance changes showed same trends as in case of electron beam induced changes - chemical resistance significantly increased with increasing exposure dosages.	Chalcogenide glasses; Thin films; Wet etching; Electron beam lithography

Vyhledávání

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte