Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Utilization of As50Se50 thin films in electron beam lithography
Rok: 2021
Druh publikace: článek v odborném periodiku
Název zdroje: Materials Chemistry and Physics
Název nakladatele: Elsevier Science SA
Místo vydání: Lausanne
Strana od-do: 124052
Tituly:
Jazyk Název Abstrakt Klíčová slova
cze Využití tenkých vrstev As50Se50 v elektronové litografii Chalkogenidová skla As50Se50 byla intenzivně studována pro jejich zajímavé fyzikální a chemické vlastnosti. Tato práce je zaměřena na možnost aplikace vakuově napařených vrstev As50Se50 pro elektronovou litografii s využitím mokrého leptání v zásaditých roztocích aminů. Tenké vrstvy As50Se50 prokázaly vysokou sensitivitu jako negativní rezist. Byl taktéž pozorován pokles leptací selektivity s nárůstem urychlovacího napětí a naopak nárůst selektivity s rostoucí expoziční dávkou. Byly pozorovány a podrobně studovány výškové nerovnoměrnosti připravených struktur, které byly spojené s rozptylem elektronového paprsku a preferenčním leptáním horních hran zapsaných objektů. Porovnání fotoindukovaných změn chemické odolnosti prokázalo stejné trendy jako v případě elektrony indukovaných změn - chemická odolnost výrazně vzrostla s rostoucí expoziční dávkou. Chalcogenidová skla; Tenké vrstvy; Mokré leptání; Elektronová litografie
eng Utilization of As50Se50 thin films in electron beam lithography Chalcogenide glass of As50Se50 composition have been intensively studied for its interesting physical and chemical properties. Presented manuscript explores the applicability of As50Se50 thermally evaporated thin films in electron beam lithography exploiting wet etching in amine based solution. As50Se50 films proved to be highly sensitive negative resist. Decrease of the etching selectivity with increasing accelerating voltage and its increase with increasing exposure dose were observed. Height irregularities of prepared structures connected with the electron beam scattering and preferential etching of upper edges were observed and thoroughly studied. Comparison of photoinduced chemical resistance changes showed same trends as in case of electron beam induced changes - chemical resistance significantly increased with increasing exposure dosages. Chalcogenide glasses; Thin films; Wet etching; Electron beam lithography

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

zobrazit na mapy.cz

Služby

Často hledáte

© 2023 Univerzita Pardubice, Studentská 95, 532 10 Pardubice 2
Telefon: 466 036 111, 466 036 112, 466 036 113
Správce webu, RSS
ID datové schránky: f5vj9hu
Prohlášení o přístupnosti