Publikace detail

Arsenic-Doped SnSe Thin Films Prepared by Pulsed Laser Deposition

Rok: 2021

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: ACS Omega

Název nakladatele: American Chemical Society

Místo vydání: Washington

Strana od-do: 17483-17491

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Tenké filmy SnSe dopované arsenem připravené pulzní laserovou depozicí	Pulzní UV laserová depozice byla využita pro přípravu tenkých vrstev Sn50-xAsxSe50 (x = 0, 0,05, 0,5 a 2,5) s cílem prozkoumat vliv nízké koncentrace arsenu na vlastnosti deponovaných vrstev. Bylo zjištěno, že zvolená metoda depozice vede k růstu vysoce (h00) orientované orthorhombické fáze SnSe. Tenké vrstvy byly charakterizovány různými technikami, jako je rentgenová difrakce, rastrovací elektronová mikroskopie s energiově disperzní rentgenovou spektroskopií, mikroskopie atomárních sil, spektroskopie Ramanova rozptylu a spektroskopická elipsometrie. Z výsledků lze usoudit, že tenké vrstvy obsahující 0,5 at. % As vykazovaly extrémní hodnoty týkající se velikosti krystalitů, objemu základní buňky nebo indexu lomu, které se významně liší od ostatních vzorků. Laserová ablace s kvadrupólovou iontovou pastí time-of-flight hmotnostní spektrometrie byla použita k identifikaci a porovnání klastrů přítomných v plazmatu pocházejícího z interakce laserového pulzu s Sn50-xAsxSe50 v obou formách, tj. prášcích i nanesených tenkých vrstvách. Hmotnostní spektra obou materiálů byla podobná; zejména byly pozorovány signály klastrů SnmSen+ s nízkými hodnotami m a n.	hmotnostní spektrometrie; klastry; SnSe; tenké vrstvy; pulzní laserová depozice
eng	Arsenic-Doped SnSe Thin Films Prepared by Pulsed Laser Deposition	Pulsed UV laser deposition was exploited for the preparation of thin Sn50-xAsxSe50 (x = 0, 0.05, 0.5, and 2.5) films with the aim of investigating the influence of low arsenic concentration on the properties of the deposited layers. It was found that the selected deposition method results in growth of a highly (h00) oriented orthorhombic SnSe phase. The thin films were characterized by different techniques such as X-ray diffraction, scanning electron microscopy with energy-dispersive X-ray spectroscopy, atomic force microscopy, Raman scattering spectroscopy, and spectroscopic ellipsometry. From the results, it can be concluded that thin films containing 0.5 atom % of As exhibited extreme values regarding crystallite size, unit cell volume, or refractive index that significantly differ from those of other samples. Laser ablation with quadrupole ion trap time-of-flight mass spectrometry was used to identify and compare species present in the plasma originating from the interaction of a laser pulse with solid-state Sn50-xAsxSe50 materials in both forms, i.e. parent powders as well as deposited thin films. The mass spectra of both materials were similar; particularly, signals of SnmSen+ clusters with low m and n values were observed.	mass spectrometry; clusters; SnSe; thin films; pulsed laser deposition

Search

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte