Publikace detail

Radio-frequency magnetron co-sputtered Ge-Sb-Te phase change thin films

Autoři: Bouška Marek | Nazabal Virginie | Gutwirth Jan | Halenkovič Tomáš | Němec Petr

Rok: 2021

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Journal of Non-Crystalline Solids

Název nakladatele: Elsevier Science BV

Místo vydání: Amsterdam

Strana od-do: 121003

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Ge-Sb-Te tenké vrstvy s fázovou změnou naprášené vícekatodovým radiofrekvenčním magnetronovým naprašováním	Vícekatodové radiofrekvenční magnetronové naprašování za využití terčů GeTe a Sb2Te3 bylo využito pro depozici amorfních tenkých vrstev Ge-Sb-Te. Připravené vrstvy pokrývají širokou oblast chemického složení s malou změnou v obsahu Te (50.8-53.6 at. % Te). Při krystalizaci indukované temperací byly nalezeny velké změny v elektrickém kontrastu až 8 řádů. Fázová změna z amorfního do krystalického stavu vede také k drastickým změnám optických funkční, jak je demonstrováno hodnotami optického kontrastu až \|delta n\|+\|delta k\| = 2.96 pro vrstvy GeTe při vlnové délce Blu-ray. Kontrast reflektivity při vlnové délce Blue-ray dosahuje až 43 % s rostoucím obsahem GeTe v tenkých vrstvách Ge-Sb-Te, což potvrzuje důležitost obsahu GeTe v tenkých vrstvách Ge-Sb-Te.	Vícekatodové radiofrekvenční magnetronové naprašování; tenké vrstvy; chalkogenidy; fázové změny
eng	Radio-frequency magnetron co-sputtered Ge-Sb-Te phase change thin films	Radio-frequency magnetron co-sputtering technique with GeTe and Sb2Te3 targets has been used for the deposition of Ge-Sb-Te amorphous thin films. Fabricated layers cover broad region of chemical composition with slight variation in Te content (50.8-53.6 at. % of Te). Upon annealing-induced crystallization, large variations in electrical contrast up to eight orders of magnitude were found. Phase change from amorphous to crystalline state leads also to drastic changes of optical functions demonstrated by optical contrast values up to \|delta n\|+\|delta k\| = 2.96 for GeTe layers at Blu-ray wavelength. Reflectivity contrast at Blu-ray wavelength reaches up to -43% with increasing content of GeTe in Ge-Sb-Te thin films, confirming importance of GeTe content in Ge-Sb-Te thin films.	Radio-frequency magnetron co-sputtering; Thin films; Chalcogenides; Phase transitions

Vyhledávání

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte