Publikace detail

Surface composition and micromasking effect during the etching of amorphous Ge-Sb-Se thin films in SF6 and SF6 /Ar plasmas

Rok: 2021

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Applied Surface Science

Název nakladatele: Elsevier Science BV

Místo vydání: Amsterdam

Strana od-do: 149192

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Složení povrchu a efekt mikromaskování během leptání amorfních tenkých vrstev Ge-Sb-Se v plazmatu SF6 a SF6/Ar	S použitím reaktoru s indukčně vázaným plazmatem prostřednictvím chemických procesů na bázi fluoru byly leptány tenké vrstvy Ge-Sb-Se. V SF6 plazmatu, rychlost leptání a povrchová drsnost podtrhují efekt mikromaskování, který je důsledkem vzniku částic SbF3, (Se)-Sb-F-x a (Sb)-Se-F. SF plazma je systematicky asociováno s kvaziizotropický profilem a drsným povrchem. V SF6/Ar plazmatu byl zkoumán vliv tlaku a obsahu argonu. Přídavek argonu přímo ovlivňuje tok atomů fluoru a argonu. Bylo zjištěno, že existuje silná korelace mezi tokem atomů fluoru, obsahem fluoru na povrchu a drsností. Povrch neobsahuje fluorované částice pro velký obsah argonu (95%) and nízké tlaky (<4mTorr). Hladký povrch a kvazivertikální profil byly dosaženy v plazmatu SF6/Ar s poměrem plynů 5/95 při tlaku 1,5 mTorr.	Ge-Sb-Se; leptání; tenké vrstvy
eng	Surface composition and micromasking effect during the etching of amorphous Ge-Sb-Se thin films in SF6 and SF6 /Ar plasmas	Ge-Sb-Se thin films were etched using an Inductively Coupled Plasma reactor via fluorine-based chemistry. In a SF6 plasma, etch rate and roughness highlight a micro masking effect which originates from the formation of SbF3, (Se)-Sb-F-x and (Sb)-Se-F species. Systematically, a SF6 plasma is associated with a quasi-isotropic profile and a rough surface. In a SF6/Ar plasma, the impact of pressure and the argon content has been investigated. The addition of argon affects directly the fluorine atom flux and the argon atom flux. It was found that there is a strong coherence between the fluorine atom flux, the proportion of fluorine at the surface and the roughness. Surface is free of fluorinated products for a high percentage of argon (95%) and low-pressures (<4mTorr). A smooth surface and a quasi-vertical profile were achieved in a SF6/Ar plasma with a gas mixture ratio 5/95 and at a pressure of 1.5 mTorr.	Ge-Sb-Se; Etching; thin films

Vyhledávání

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte