Publikace detail

On the ultimate resolution of As2S3-based inorganic resists

Autoři: Nesterov S., I | Boyko M. E | Krbal Miloš | Kolobov A., V

Rok: 2021

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Journal of Non-Crystalline Solids

Název nakladatele: Elsevier Science BV

Místo vydání: Amsterdam

Strana od-do: 120816

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Zpráva o konečném rozlišení anorganických rezistů na bázi As2S3	Byla zkoumána možnost výroby litografických masek na bázi chalkogenidového skla As2S3 s ultimátně malou velikostí rezistových prvků. Byla použita interferenční litografie využívající synchrotronového záření o vlnové délce 13,4 nm, odpovídající extrémnímu ultrafialovému světlu. Byly získány vysoce kvalitní masky s prvky o velikosti 30 nm. Ve studii dynamického rozptylu světla byly ve vývojce po procesu vyvolávání nalezeny částice rezistu o velikosti asi 3 nm, což odpovídá uspořádání na střední vzdálenost ve struktuře chalkogenidového skla. Předpokládá se, že tato velikost zrna určuje konečné rozlišení, drsnost a nerovnosti okraje masky anorganického rezistu.	chalkogenidové sklo; nevazebné elektronové páry; anorganický rezistw; interferenční litografie; EUV litografie
eng	On the ultimate resolution of As2S3-based inorganic resists	The possibility of making lithographic masks based on As2S3 chalcogenide glass with ultimately small size of resist elements has been investigated. Interference lithography using synchrotron radiation with a wavelength of 13.4 nm, corresponding to extreme ultraviolet light, was used. High-quality masks with elements of 30 nm in size were obtained. In a dynamic light scattering study, resist particles of about 3 nm in size were found in the developer after the development process, which corresponds to the intermediate-range order parameter in the structure of the chalcogenide glass. It is assumed that this grain size determines the ultimate resolution, roughness and unevenness of the edge of the inorganic resist mask.	chalcogenide glass; lone-pair electrons; inorganic resist; interference lithography; EUV lithography

Vyhledávání

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte