Publikace detail

Topological Insulator Bi2Te3: The Effect of Doping with Elements from the VIII B Column of the Periodic Table

Rok: 2022

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Journal of Physical Chemistry C

Strana od-do: 14529–14536

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Topologický izolátor Bi2Te3: Vliv dopování prvky z VIII B skupiny periodické tabulky	Studovali jsme dopování monokrystalu Bi2Te3 pomocí úhlově-rozlišitelné fotoemise a ab initio výpočtů elektronické struktury. Zjistili jsme, že na povrchu je typická objemová vodivost p-typu transformována na n-typ. Dopanty z VIII B skupiny (Fe, Ru a Os) způsobují posun Diracova kužele na povrchu ve směru od maxima valenčního pásu k minimu vodivostního pásu. Přeskupení povrchové elektronické struktury Bi2Te3 způsobené dopováním je spojeno s přichycením Fermiho hladiny v zakazáném pásu a její srovnání s experimentálními daty ukazuje, že dopanty substituují atomy Bi spíše než by zaujímaly intersticiální pozice.	topologický izolátor; Bi2Te3; dopování; elektronické vlastnosti; transportní vlastnosti
eng	Topological Insulator Bi2Te3: The Effect of Doping with Elements from the VIII B Column of the Periodic Table	We studied the doping of a Bi2Te3 single crystal using angle-resolved photoemission and ab initio electronic structure calculations. We find that at the surface, the typical bulk p-type conductivity is transformed to the n-type. The dopants from the VIII B column (Fe, Ru, and Os) give rise to the shift of the Dirac cone at the surface in the direction from the valence band maximum to the conductivity band minimum. The rearrangement of the Bi2Te3 surface electronic structure caused by doping is linked to the pinning of the Fermi level in the bulk gap, and its comparison with experimental data indicates that the dopants substitute Bi atoms rather than they occupy interstitial positions.	topological Insulator; Bi2Te3; doping; electronic properties; transport properties

Vyhledávání

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte