Publikace detail

Studium termoelektrických vlastností monokrystalů telluridu bismutitého dopovaného železem, rutheniem a osmiem

Autoři: Šimíček Filip | Čermák Patrik | Čermák Šraitrová Kateřina | Drašar Čestmír

Rok: 2022

Druh publikace: článek ve sborníku

Název zdroje: Sborník příspěvků: studentská vědecká odborná činnost 2021/2022

Název nakladatele: Univerzita Pardubice

Místo vydání: Pardubice

Strana od-do: 197-202

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Studium termoelektrických vlastností monokrystalů telluridu bismutitého dopovaného železem, rutheniem a osmiem	Tellurid bismutitý je v současné době vedoucím materiálem používaným při výrobě Peltierových chladících článků a termoelektrických generátorů pracujících při pokojové teplotě. Vzhledem k jeho rozšířenosti je zvýšení termoelektrické účinnosti Bi2Te3 jednou z aktivních oblastí výzkumu. Zajímavý je tento materiál rovněž z pohledu tzv. zředěných magnetických polovodičů či topologických izolátorů. V našem případě byly připraveny monokrystalické vzorky M0,01Bi2Te3, kde M = Fe, Ru a Os. Analýza vzorků proběhla pomocí práškové rentgenové difrakce (XRD). Dále byl měřen Seebeckův koeficient a, Hallův koeficient RH a měrná elektrická vodivost s, a to v rozmezí teplot 100–470 K. Dopanty ve struktuře Bi2Te3 vedou ke změnám transportních vlastností. Tyto změny jsou způsobeny především interakcí dopantů s vlastními defekty.	Bi2Te3, dopování, termoelektřina, defekty
eng	Study of thermoelectric properties of bismuth telluride single crystals doped with iron, ruthenium and osmium	Bismuth telluride is currently the leading material used in the manufacture of Peltier cooling elements and thermoelectric generators operating at room temperature. Due to its widespread use, increasing the thermoelectric efficiency of Bi2Te3 is one of the active areas of research. This material is also interesting from the point of view of so-called diluted magnetic semiconductors or topological insulators. In our case, single crystalline samples of M0.01Bi2Te3 were prepared, where M = Fe, Ru and Os. Samples were analyzed using powder X-ray diffraction (XRD). The Seebeck coefficient a, the Hall coefficient RH and the electrical conductivity s were also measured in the temperature range 100–470 K. Dopants in the Bi2Te3 structure lead to changes in transport properties. These changes are mainly caused by the interaction of dopants with native defects.	Bi2Te3, doping, thermoelectricity, defects

Vyhledávání

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte