Přejít k hlavnímu obsahu

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Phase control of sputter-grown large-area MoTe2 films by preferential sublimation of Te: amorphous, 1T ' and 2H phases
Autoři: Hatayama Shogo | Saito Yuta | Makino Kotaro | Uchida Noriyuki | Shuang Yi | Mori Shunsuke | Sutou Yuji | Krbal Miloš | Fons Paul
Rok: 2022
Druh publikace: článek v odborném periodiku
Název zdroje: Journal of Materials Chemistry C
Název nakladatele: Royal Society of Chemistry
Místo vydání: Cambridge
Strana od-do: 10627-10635
Tituly:
Jazyk Název Abstrakt Klíčová slova
cze Fázové řízení naprašovaných filmů MoTe2 na velkou plochu preferenční sublimací Te: amorfní, 1T´ a 2H fáze Amorfní tenké vrstvy Mo–Te připravené naprašováním byly žíhány k získání krystalická fáze. Ačkoli jako čerstvě nanesené filmy byly nestechiometrického složení bohaté na Te, optimalizované podmínky žíhání umožnily eliminaci přebytku Te preferenčním sublimačním procesem. Vzhledem k podobné lokální struktuře amorfní a krystalické fáze, neuspořádaná amorfní fáze se nejdříve transformovala do vysokoteplotní fáze, 1T´, následovaná fázovým přechodem na strukturu 2H po dalším žíhání. Pro realizaci nových zařízení na bázi 2D MoTe2 je zásadní pochopení mechanismu krystalizace amorfních tenkých vrstev Mo-Te. Kromě toho robustnost způsobu výroby, tj. zavedení způsobu realizace jednofázové tvorby MoTe2, který nevyžaduje, aby počáteční složení naneseného amorfního filmu bylo přesně stechiometrické, výrazně přispěje k depozici MoTe2 tenkých vrstev na velké plochy nezbytné pro průmyslové aplikace. MoTe2; krystalizace; optimální podmínky žíhání; sublimace; struktura
eng Phase control of sputter-grown large-area MoTe2 films by preferential sublimation of Te: amorphous, 1T ' and 2H phases Sputter-grown amorphous Mo-Te films were annealed to obtain the crystalline phase. Although as-deposited films exhibited an off-stoichiometric Te-rich composition, optimized annealing conditions enabled the elimination of excess Te by a preferential sublimation process. Owing to their similar local structure, the disordered amorphous phase first crystallized into a high temperature phase, 1T ', followed by a phase transition to the 2H structure upon further annealing. To realize 2D MoTe2-based novel devices, understanding the crystallization mechanism of amorphous Mo-Te films is critical. Furthermore, the robustness of the fabrication method, i.e., the establishment of a method to realize MoTe2 single-phase formation, which does not require the initial composition of the as-deposited amorphous film to be exactly stoichiometric, will greatly contribute to the deposition of large-area MoTe2 films essential for industrial applications. MoTe2; crystallization; optimized annealing conditions; sublimation; structure