Publikace detail

Improved Ordering of Quasi-Two-Dimensional MoS2 via an Amorphous-to-Crystal Transition Initiated from Amorphous Sulfur-Rich MoS2+x

Rok: 2022

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Crystal Growth and Design

Název nakladatele: American Chemical Society

Místo vydání: Washington

Strana od-do: 3072-3079

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Vylepšené uspořádání kvazi-dvourozměrného MoS2 přechodem z amorfního na krystalický stav počínající z amorfního MoS2+ bohatého na síru	Syntéza stechiometrických dvourozměrných (2D) dichalkogenidů přechodných kovů (TMDC) na velké plochy je stále výzvou. Pomocí kombinace rentgenové difrakce a rentgenové absorpční spektroskopie demonstrujeme výhody použití tenké amorfní vrstvy MoS2 bohatého na S (MoS4 v tomto článku) pro růst dobře uspořádaných krystalických filmů MoS2 prostřednictvím žíhání při 900 °C. Na rozdíl od krystalizace stechiometrického amorfního MoS2, krystalizace amorfní MoS4 fáze vykazuje silně preferované uspořádání vrstveného MoS2 na Si/SiOx netemplátovém substrátu s dominantní (002) krystalografickou rovinou a doprovodnými Kiessigovými oscilacemi, které indikují vylepšené uspořádání vrstev MoS2. Podobného efektu lze dosáhnout pouze templátovou krystalizací amorfního tenkého filmu MoS2 naneseného na safírovém substrátu s orientací v rovině c. Domníváme se, že zlepšení růstu krystalů je způsobeno nižším koordinačním číslem (CN) atomů Mo v amorfní fázi MoS4 (CN = 4) ve srovnání s amorfním MoS2 (CN = 6) a postupným uvolňováním volných atomů síry z tenkého filmu během krystalizace.	tenké vrstvy; RTG absorpční spektroskopie; MoS2; lokální struktura; krystalizace
eng	Improved Ordering of Quasi-Two-Dimensional MoS2 via an Amorphous-to-Crystal Transition Initiated from Amorphous Sulfur-Rich MoS2+x	The synthesis of stoichiometric two-dimensional (2D) transition-metal dichalcogenides (TMDC) over large areas remains challenging. Using a combination of X-ray diffraction and X-ray absorption spectroscopy, we demonstrate the advantages of using a thin amorphous layer of S-rich MoS2 (MoS4 in this paper) for the growth of well-ordered crystalline MoS2 films via annealing at 900 degrees C. In contrast to the crystallization of stoichiometric amorphous MoS2, the crystallization of the as-depo sited amorphous MoS4 phase shows the strong preferred ordering of layered MoS2 on a Si/SiOx nontemplating substrate with the dominant (002) crystallographic plane and accompanying Kiessig fringes, which indicate the improved crystallinity of the MoS2 layers. A similar effect can only be achieved by the templated crystallization of an amorphous MoS2 thin film deposited on a c-plane sapphire substrate. We suggest that the crystal growth improvement originates from the lower coordination number (CN) of the Mo atoms in the MoS4 amorphous phase (CN = 4) in comparison with that of amorphous MoS2 (CN = 6) and the gradual release of free sulfur atoms from the thin film during crystallization.	ray-absorption spectroscopy; solar-cells; molybdenum; growth; nanosheets; disulfide; reduction; ultrathin; layers; sites

Search

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte