Publikace detail

Insight into the photoinduced phenomena in ternary Ge-Sb-Se sputtered thin films

Autoři: Halenkovič Tomáš | Kotrla Magdaléna | Gutwirth Jan | Nazabal Virginie | Němec Petr

Rok: 2022

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Photonics Research

Název nakladatele: Chinese Laser Press

Místo vydání: Shanghai

Strana od-do: 2261-2266

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Náhlednutí do světlem indukovaných jevů v ternárních Ge-Sb-Se naprašovaných tenkých vrstvách	Byla studována kinetika světlem indukovaných změn, konkrétně, fotosvětlání a fototmavnutí, v ternárních Ge29Sb8Se63 naprašovaných tenkých vrstvách. Studium časové závislosti absorpčního koeficientu Delta alfa(t) při ozáření světlem s energií blízkou optické šířce zakázaného pásu energií ukázalo několik typů fotoindukovaných jevů. Panenské vrstvy vykazovaly rychlé fototmavnutí, po němž následoval dominantní proces fotosvětlání. Bylo zjištěno, že žíhané tenké vrstvy podléhají pouze fototmavnutí. Lokální struktura studovaná pomocí Ramanovy spektroskopie ukázala významné strukturní změny při tepelném žíhání, které jsou pravděpodobně zodpovědné za přechod od fotosvětlání pozorovaného v panenských a reverzibilního fototmavnutí v žíhaných tenkých vrstvách. Kromě toho byl pozorován přechodný proces fototmavnutí jak v panenských, tak v žíhaných tenkých vrstvách. Je diskutován vliv počáteční tloušťky filmu a intenzity laseru na kinetiku fotoindukovaných změn.	světlo; raman
eng	Insight into the photoinduced phenomena in ternary Ge-Sb-Se sputtered thin films	The kinetics of photoinduced changes, namely, photobleaching and photodarkening in sputtered ternary Ge29Sb8Se63 thin films, was studied. The study of time evolution of the absorption coefficient Delta alpha(t) upon roomtemperature near-bandgap irradiation revealed several types of photoinduced effects. The as-deposited films exhibited a fast photodarkening followed by a dominative photobleaching process. Annealed thin films were found to undergo photodarkening only. The local structure studied by Raman scattering spectroscopy showed significant structural changes upon thermal annealing, which are presumably responsible for a transition from the photobleaching observed in as-deposited and reversible photodarkening in annealed thin films. Moreover, a transient photodarkening process was observed in both as-deposited and annealed thin films. The influence of the initial film thickness and laser optical intensity on the kinetics of photoinduced changes is discussed.	light; raman

Vyhledávání

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte