Publikace detail

Tailoring of Multisource Deposition Conditions towards Required Chemical Composition of Thin Films

Autoři: Gutwirth Jan | Kotrla Magdaléna | Halenkovič Tomáš | Nazabal Virginie | Němec Petr

Rok: 2022

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Nanomaterials

Název nakladatele: MDPI

Místo vydání: BASEL

Strana od-do: 1830

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Ladění podmínek vícezdrojové depozice pro požadované chemické složení tenkých vrstev	Je vyvinut model pro ladění požadovaného chemického složení tenkých vrstev připravených vícezdrojovou depozicí využívající základní fyzikálně-chemické konstanty výchozích materiálů. Model je experimentálně ověřen pro dvouzdrojovou depozici chalkogenidových tenkých vrstev ze systému Ga-Sb-Te (spojnice GaSb-GaTe a GaSb-Te). Tenké vrstvy jsou deponovány radiofrekvenčním magnetronovým naprašováním za použití terčů GaSb, GaTe a Te. Připravené tenké vrstvy jsou charakterizovány energiově-disperzní rentgenovou analýzou spojenou se skenovacím elektronovým mikroskopem pro určení chemického složení a spektrální elipsometrií s proměnným úhlem dopadu pro určení tloušťky vrstev. Je zjištěn dobrý souhlas mezi výsledky výpočtů a experimentálně určeným složením ko-deponovaných tenkých vrstev pro obě výše uvedené spojnice. Dále, přes použitá zjednodušení, navržený model je robustní pro obecné použití pro studie, kde je zkoumán vliv složení tenkých vrstev na jejich vlastnosti.	tenká vrstva; depozice; naprašování; vícezdrojové naprašování; Ga-Sb-Te; výpočet; model
eng	Tailoring of Multisource Deposition Conditions towards Required Chemical Composition of Thin Films	The model to tailor the required chemical composition of thin films fabricated via multisource deposition, exploiting basic physicochemical constants of source materials, is developed. The model is experimentally verified for the two-source depositions of chalcogenide thin films from Ga-Sb-Te system (tie-lines GaSb-GaTe and GaSb-Te). The thin films are deposited by radiofrequency magnetron sputtering using GaSb, GaTe, and Te targets. Prepared thin films are characterized by means of energy dispersive X-ray analysis coupled with a scanning electron microscope to determine the chemical composition and by variable angle spectroscopic ellipsometry to establish film thickness. Good agreement between results of calculations and experimentally determined compositions of the co-deposited thin films is achieved for both the above-mentioned tie-lines. Moreover, in spite of all the applied simplifications, the proposed model is robust to be generally used for studies where the influence of thin film composition on their properties is investigated.	thin film; deposition; sputtering; co-sputtering; Ga-Sb-Te; calculation; model

Search

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte