Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Photo - induced solid - state reaction on the interface of As2S3-Ge30Se70 thin films.
Rok: 2022
Druh publikace: článek v odborném periodiku
Název zdroje: Optical Materials
Strana od-do: 111897
Tituly:
Jazyk Název Abstrakt Klíčová slova
cze Fotoindukovaná reakce v pevné fázi na rozhraní  As2S3-Ge30Se70 tenkých filmů. Byla studována reakce v pevné fázi indukovaná laserem ve dvouvrstvě As2S3 a Ge30Se70 tenkých filmech napařených na sebe na substrátu. Rozsah reakce v pevné fázi na rozhraní dvou filmů byl studován na základě posunu krátkovlnné absorpční hrany, která byla výrazně vyšší u osvětlené/temperové dvojvrstvy ve srovnání se součtem posunů jednotlivých panenských filmů. Přítomnost nově vytvořené mezivrstvy byla potvrzena pomocí FTIR, AFM a elipsometrie. chalcogenidy; tenké filmy; fotoindukované změny
eng Photo - induced solid - state reaction on the interface of As2S3-Ge30Se70 thin films. The laser-induced solid-state reaction in double-layer As2S3 and Ge30Se70 thin films evaporated on each other on substrates was studied. The extent of the solid-state reaction on the interface of two films was evaluated as a shift of the short-wavelength absorption edge, which was significantly higher for the illuminated/annealed double-layer in comparison with the sum of shifts of the individual virgin films. The presence of a newly created intermix layer was proved by FTIR, AFM and ellipsometry. chalcogenides; thin film; photo - inducet changes

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte

© 2023 Univerzita Pardubice, Studentská 95, 532 10 Pardubice 2
Telefon: 466 036 111, 466 036 112, 466 036 113
Správce webu, RSS
ID datové schránky: f5vj9hu
Prohlášení o přístupnosti
Drupal web od drupal web Drupal ᐬrts