Publikace detail

The Structural Modulation of Amorphous 2D Tungsten Oxide Materials in Magnetron Sputtering

Rok: 2022

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Advanced Materials Interfaces

Název nakladatele: John Wiley & Sons Ltd.

Místo vydání: Chichester

Strana od-do: 2201790

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Strukturní modulace amorfních 2D materiálů na bázi oxidu wolframu v magnetronovém naprašování	2D oxidové materiály si v aplikacích získaly obrovskou pozornost. Zde je popsána cesta syntézy 2D W03 materiálů prostřednictvím magnetronového naprašování. Depozice mezi 2D monovrstvami a strukturou tenkého filmu se provádí podle teploty substrátu. A 2D monovrstvy se tvoří pouze na chlazeném substrátu. Ag doping pomáhá exfoliovat 2D WO3 do volně stojících monovrstev, ve kterých je tloušťka 2D monovrstvy cca ≈3 nm. Příkladem použití vrstev je odporové spínání a fotokatalýza. V zařízení s 2D strukturou je jasný stav středního odporu. Při aplikaci fotokatalýzy se využívá vylepšené dvoukrokové exfoliace, čímž se dosáhne slohy monovrstev WO3 s velkým vnitřním objemem. Zvýšení účinnosti fotokatalýzy se dosáhne pomocí 2D WO3 po exfoliaci.	magnetronové naprašování; odporová paměť s náhodným přístupem; dvourozměrné materiály
eng	The Structural Modulation of Amorphous 2D Tungsten Oxide Materials in Magnetron Sputtering	2D oxide materials have gained tremendous attention in the applications. Herein, a synthesis route of 2D WO3 materials via magnetron sputtering is reported. A deposition between 2D monolayers and thin film structure are accomplished according to the temperature of substrate. And 2D monolayers are only formed on a cooled substrate. Ag doping helps to exfoliate 2D WO3 into freestanding monolayers, in which the thickness of 2D monolayer is only approximate to 3 nm. The ultralarge size of 2D WO3 shows unique features from the traditional 2D material. Resistive switching device and photocatalysis are discussed as examples of application. There is a clear intermediate resistance state in the device with 2D structure. And the failure of resistive switching device is closely related with the 2D structure of WO3. In the application of photocatalysis, an improved two-step exfoliation, achieving a stack of WO3 monolayers with a large internal volume, is utilized. The enhancements of photocatalysis are obtained with 2D WO3 after exfoliation.	magnetron sputtering; resistive random-access memory; two-dimensional materials

Search

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte