Publikace detail

Doping of n-type Bi2Se3 single crystal with Fe, Ru, Os, and Mo

Rok: 2024

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Journal of Physics and Chemistry of Solids

Název nakladatele: Elsevier Science Inc.

Místo vydání: New York

Strana od-do: 111794

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Dopování monokrystalů n-typového Bi2Se3 prvky Fe, Ru, Os a Mo	Dopování je jednou z nejvhodnějších metod pro úpravu elektrických vlastností topologických izolátorů a představuje slibný přístup k otevření zakázaného pásu u povrchových stavů. V této studii byla vyvinuta spolehlivá metoda pro přípravu vysoce kvalitních monokrystalických substrátů, které se skládají z Bi2Se3 dopovaného prvky z VIIIB a VIB skupiny. Byly zkombinovány experimentální metody fotoelektronové spektroskopie (rentgenová fotoelektronová spektroskopie, úhlově rozlišená fotoelektronová spektroskopie a ultrafialová fotoelektronová spektroskopie) a teoretické (ab initio) metody, které byly použity k analýze elektrických vlastností a chemických stavů atomů v substitučních polohách a nativních defektů v topologickém izolátoru, kterých může být dosaženo za užití FMC metody růstu krystalů. Byl prozkoumán a diskutován vztah mezi polohou Diracova kuželu a maxima valenčního pásu.	topologický izolátor; fotoelektronová spektroskopie; dopování
eng	Doping of n-type Bi2Se3 single crystal with Fe, Ru, Os, and Mo	Doping is one of the most suitable methods for tuning the electronic properties of topological insulators and a promising approach for band gap opening in surface states. In this study, we developed a reliable method for preparing high-quality single crystal substrates comprising Bi2Se3 doped with VIIIB and VIB column elements. We combined experimental photoelectron spectroscopy (X-ray photoelectron spectroscopy, angle resolved photoelectron emission spectroscopy, and ultraviolet photoelectron spectroscopy) and theoretical (ab initio) methods to analyze the electronic properties and chemical states of atoms in the substitutional position and native defects in the topological insulator, which can be achieved using the free melt crystallization method for sample growth. The relationship between the position of the Dirac cone and valence band maximum was explored and discussed.	Topological insulator; Photoelectron spectroscopy; Band structure; Ab initio; Doping

Vyhledávání

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte