Publikace detail

Praseodymium-doped Ge20In5Sb10Se65 films based on argon plasma co-sputtering for infrared-luminescent integrated photonic circuits

Rok: 2024

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: ACS Applied Materials & Interfaces

Strana od-do: 5225-5233

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Praseodymem dotované vrstvy Ge20In5Sb10Se65 založené na vícekatodovém naprašování v plazmatu argonu pro luminiscentní integrované fotonické obvody v infračervené oblasti spektra	Popisujeme infračervenou luminiscenci amorfních praseodymem dotovaných Ge20In5Sb10Se65 vlnovodů. Amorfní chalkogenidové tenké vrstvy byly deponovány radiofrekvenčním magnetronovým vícekatodovým naprašováním za použití argonového plazmatu, jehož parametry byly optimalizovány. Vlnovody byly připraveny fotolitografií a leptáním reaktivním vázaným plazmatem. Byl vyšetřován vliv koncentrace vzácné zeminy v těchto tenkých vrstvách na jejich optické vlastnosti a spektroskopické vlastnosti vzácné zeminy. Za použití excitační vlnové délky 1,55 μm byla jasně prokázána luminiscence ve střední infračervené oblasti spektra v oblasti 2,5-5,5 μm.	amorfní chalkogenidy; vlnovody; luminiscence; vzácná zemina; tenké vrstvy
eng	Praseodymium-doped Ge20In5Sb10Se65 films based on argon plasma co-sputtering for infrared-luminescent integrated photonic circuits	We report on the infrared luminescence of amorphous praseodymium-doped Ge20In5Sb10Se65 waveguides. Amorphous chalcogenide thin films were deposited by radiofrequency magnetron cosputtering using an argon plasma whose deposition parameters were optimized. Waveguides were fabricated using photolithography and plasma-coupled reactive ion etching techniques. The influence of the rare earth concentration within those thin films on their optical properties and rare earth spectroscopic properties was investigated. Using an excitation wavelength of 1.55 μm, the mid-infrared luminescence of Pr3+ ions from 2.5 to 5.5 μm was clearly demonstrated.	amorphous chalcogenides; waveguides; luminescence; rare earth; thin films

Vyhledávání

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte