Publikace detail

Influence of Argon Deposition Pressure on the Mid-Infrared Luminescence of Dysprosium-Doped Ga-Ge-Sb-Se Waveguides Deposited on Different Substrates

Rok: 2025

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: ACS Applied Optical Materials

Název nakladatele: American Chemical Society

Místo vydání: Washington

Strana od-do: 2555-2565

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Vliv tlaku nanášení argonu na luminiscenci středního infračerveného záření vlnovodů Ga-Ge-Sb-Se dopovaných dysprosiem nanesených na různé substráty	K nanášení tenkých Dy3+ (5000 ppmw)dopovaných selenidových vrstev na SiO2 nebo nedopované sulfidové vrstvy na křemíkových substrátech se používá radiofrekvenční (RF) magnetronové naprašování. Poté se k výrobě vlnovodů z selenidu dopovaného kovy vzácných zemin používají techniky fotolitografie a suchého leptání. Výzkum se zaměřil na vliv tlaku argonu při depozici na vlastnosti tenkých vrstev amorfního chalkogenidového materiálu se zvláštním zaměřením na luminiscenci. Fluorescence v krátkovlnném a středovlnném infračerveném spektrálním rozsahu je zaznamenávána pomocí optické excitace při 1,32 μm. Tlak argonu 1 x 10-2 mbar poskytuje nejvyšší a nejjasnější signál ve středovlnné infračervené oblasti. Při 4,38 μm je efektivně pozorováno jednomódové optické šíření ve vlnovodech Ga5Ge20Sb10Se65 dopovaných Dy3+ o koncentraci 5000 ppmw nanesených na nedopovanou sulfidovou omezující vrstvu na křemíkovém substrátu.	amorfní chalkogenidy; střední infračervená oblast; vrstva svazku; dopované vlnovody; luminiscence
eng	Influence of Argon Deposition Pressure on the Mid-Infrared Luminescence of Dysprosium-Doped Ga-Ge-Sb-Se Waveguides Deposited on Different Substrates	Radiofrequency (RF) magnetron sputtering is used to deposit 5000 ppmw Dy3+-doped selenide thin films on SiO2 or undoped sulfide confinement layers on silicon substrates. Then, photolithography and dry etching techniques are implemented to fabricate rare-earth-doped selenide ridge waveguides. The investigation was focused on the influence of argon deposition pressure on amorphous chalcogenide thin films' properties with special attention to luminescence. Fluorescence in short-wave and midwave infrared spectral ranges is recorded using optical excitation at 1.32 mu m. The argon pressure of 1 x 10-2 mbar gives the highest and clearest signal in the midwave infrared region. At 4.38 mu m, single-mode optical propagation is efficiently observed in 5000 ppmw Dy3+-doped Ga5Ge20Sb10Se65 waveguides deposited on an undoped sulfide confinement layer on the silicon substrate.	amorphous chalcogenides; mid-infrared; confinementlayer; doped-waveguides; luminescence

Vyhledávání

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte