Přejít k hlavnímu obsahu

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Kinetika krystalizace skel Ge-In-S
Autoři: Švadlák Daniel | Košáková Zuzana | Málek Jiří
Rok: 2003
Druh publikace: ostatní - přednáška nebo poster
Název zdroje: Kalorimetrický seminář 2003, přednáška
Název nakladatele:
Místo vydání:
Strana od-do:
Tituly:
Jazyk Název Abstrakt Klíčová slova
cze Kinetika krystalizace skel Ge-In-S Kinetika krystalizace chalkogenidových skel systému Ge-In-S byla studována pro složení 70GeS2 ?30In2S3 metodou diferenciální skenovací kalorimetrie (DSC) za neizotermních podmínek při rychlostech ohřevu 5 - 30 K/min. Vzorky byly připraveny ve formě prášku a oboustranně leštěných destiček. Podrobně byl studován pouze první krystalizační efekt odpovídající krystalizaci In2S3. Ve všech případech lze popsat kinetiku krystalizace In2S3 autokatalytickým modelem SB(M,N) s hodnotami parametrů M = 0.8  0.2 a N = 2.2  0.3, jak pro vzorek ve formě prášku, tak i pro vzorek ve formě oboustranně leštěných destiček. Vypočtená hodnota aktivační energie krystalizačního procesu In2S3, je 245  4 kJ/mol pro vzorek ve formě prášku a 227  6 kJ/mol pro vzorek ve formě destiček. Entalpická změna odpovídající krystalizačnímu procesu byla stanovena ?59  12 J/g pro oba typy vzorku ve formě prášku i ve formě destiček. Předexponenciální faktor ln A má hodnotu 41.7  0.3 pro prášek a pro destičky 38.3  0.5. Pomocí rentgenové difrakční analýzy byla určena velikost vznikajících částic In2S3 tetragonální soustavy 160 Å u vzorku ve formě prášku a 190 Å u vzorku ve formě oboustranně leštěných destiček . kineticka krystalizace skla
eng THE KINETIC STUDY OF CRYSTALLIZATION OF Ge-In-S THE KINETIC STUDY OF CRYSTALLIZATION OF Ge-In-S Crystallization kinetics of Ge-In-S was studied for 70GeS230In2S3 composition by differential scanning calorimetry at nonizothermal conditions of heating rate 5 - 30 K/min. Samples were prepared in both powder form and two-sided glazed wafers. There was only studied the first crystallic effect corresponding to crystallization on In2S3. Kinetics of crystallization was described as autocatalytic model SB(M,N) with parametrs M = 0.8  0.2 a N = 2.2  0.3 for both types of sample. xxxx