Publikace detail

Thermoelectric properties of Tl doped Bi2Se3 single crystals

Autoři: Janíček Petr | Drašar Čestmír | Beneš Ludvík | Lošťák Petr

Rok: 2009

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Crystal Research and Technology

Název nakladatele: Wiley-VCH

Místo vydání: Weinheim

Strana od-do: 505-510

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Termoelektrické vlastnosti Tl dopovaných monokrystalů Bi2Se3	Modifikovanou Bridgmanovou metodou byly připraveny monokrystaly Bi2-xTlxSe3 (x = 0,0 - 0,1). Vzorky těchto krystalů byly charakterizovány měřením mřížkových parametrů a chemickou analýzou. Dále byla měřena teplotní Hallovy konstanty, elektrické vodivosti a Seebeckova koeficientu. Změny studovaných veličin ukázaly, že příměs atomů thalia v krystalové struktuře vyvolává snížení koncentrace volných elektronů a také dochází ke zvýšení pohyblivosti volných elektronů. Tyto efekty jsou vysvětleny představami o bodových poruchách v krystalové struktuře studovaných krystalů. Je předpokládáno, že příměs Tl vytváří substituční poruchy typu TlBi a zároveň snižuje koncentraci vakancí na místě po selenu. Byla diskutována teplotní závislost power factoru připravených vzorků. Díky dopování Tl dochází k podstatnému zvýšení power factoru proti čistému Bi2Se3.	monokrystaly;úzkopásové polovodiče;termoelektrické vlastnosti;krystalové poruchy
eng	Thermoelectric properties of Tl doped Bi2Se3 single crystals	Single crystals of a ternary system based on Bi2-xTlxSe3 (nominaly x = 0.0-0.1) were prepared using the Bridgman technique. Samples with varying content of Tl were characterized by the measurement of lattice parameters, electrical conductivity, Hall coefficient, Seebeck coefficient. The measurements indicate that by incorporating Tl in Bi2Se3 one lowers the concentration of free electrons and enhances their mobility. This effect is explained in the frame of the point defects in the crystal lattice ? formation of substitutional defects thallium on the place of bismuth and decrease of concentration of selenium vacancies. We also discuss the temperature dependence of the power factor of the samples. Upon the thallium doping we observe a significant increase of the power factor compare to parental Bi2Se3.	single crystals;narrow gap semiconductors;thermoelectric properties;crystal defects

Vyhledávání

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte