Publikace detail

Conduction Band Splithing and Transport Properties of Bi2Se3.

Rok: 2004

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Journal of Solid State Chemistry

Název nakladatele: Academic Press (Elsevier)

Strana od-do: 1704-1712

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Rozštěpení vodivostního pásu a transportní vlastnosti Bi2Se3.	Měřením transportních a tepelných vlastností Bi2Se3 v rozmezí teplot 2-300K byl ověřován pásový model beroucí v úvahu 2 typy elektronů. Byl získán velmi dobrý souhlas s experimentálními výsledky předpokládaje, že elektrony jsou rozptylovány na akustických fononech a ionizovaných příměsích. Fitováním získané transportní parametry byly použity pro výpočet elektronické části tepelné vodivosti. Mřížková tepelná vodivost Bi2Se3 byla poté modelována za použití Debyeova přístupu při aproximaci relaxačních časů.	transportní vlastnosti; rozptyl nositelů proudu
eng	Conduction Band Splithing and Transport Properties of Bi2Se3.	The measurement transport and thermal properties of Bi2Se3 from 2-300K were analyzed in tenns of model consistry of two groups of electron. Very good agreement with the experimental data was obtained arsenic electrons are scattered on acoustic phonons and ionized imperities. The fitted transport parameters were used to calculate electronic port of thermal conductivity. Lattice thermal conductivity of Bi2Se3 was then modeled with Debye approach in the relaxation time approcimation.	transport properties; carrier scattering

Search