Publikace detail

Combined method of spectroscopic ellipsometry and photometry as an efficient tool for the optical characterisation of chalcogenide thin films

Rok: 2009

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Journal of Optoelectronics and Advanced Materials

Název nakladatele: National Institute of Optoelectronics

Místo vydání: Bukurešť

Strana od-do: 1891-1898

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Kombinovaná metoda spektroskopické elipsometrie a fotometrie jako efektivní nástroj k optické charakterizaci chalkogenidových tenkých vrstev	Optická charakterizace chalkogenidových tenkých vrstev As33Se67 a Ge2Sb2Te5 byla provedena kombinovanou metodou VASE a SR. Tato metoda dovoluje určit jak strukturní, tak disperzní parametry, které popisují tenké vrstvy vykazující různé defekty. Strukturní model zahrnuje hrubost a nerovnoměrnost tloušťky. Disperzní modely jsou založeny na parametrizaci sdružené hustoty elektronových stavů. Tato metoda umožňuje kvantitativně zkoumat změny v elektronické struktuře materiálů, které jsou způsobeny fázovými přechody, což je ukázáno na materiálu Ge2Sb2Te5. Kombinovaná metoda, která zahrnuje strukturní a disperzní modely je efektní nástroj pro optickou charakterizaci tenkých vrstev s nepravidelnou strukturou.	elipsometrie;fotometrie;chalkogenidy;tenké vrstvy
eng	Combined method of spectroscopic ellipsometry and photometry as an efficient tool for the optical characterisation of chalcogenide thin films	The optical characterisation of the As33Se67 and Ge2Sb2Te5 chalcogenide thin films is carried out using the combined method of VASE and SR. This method permits to determine both structural and dispersion parameters describing the thin films exhibiting various defects. The structural model is based on including roughness, overlayers and thickness non-uniformity. The dispersion models are based on parametrisation of the joint density of states. These models, unlike the classical models derived from the Lorentz oscillator model, can describe finite bands which allows to introduce a parameter proportional to the density of electrons. It is shown that this method enables to investigate quantitatively changes in the electronic structure of the materials caused by phase transitions which is demonstrated on the Ge2Sb2Te5. It is shown that the combined method with including true structural and dispersion models is a powerful tool for the optical characterisation of thin films exhibiting disordered structure.	Ellipsometry;Photometry;Chalcogenige;Thin film

Vyhledávání

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte