Publikace detail

Photo-Induced Changes of the Short Wawelength Absorption Edge in Some Ge-As-S Amorphous Thin Films.

Autoři: Štábl Marek | Tichý Ladislav

Rok: 2004

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Optical Materials

Název nakladatele: Elsevier Science BV

Místo vydání: Amsterdam

Strana od-do: 549-557

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Fotoindukované změny krátkovlnné absorbční hrany v některých Ge-As-S amorfních tenkých filmech.	Reversibilní a ireversibilní fotoindukované změny byly studovány v amorfních filmech Ge27As10S60 a Ge14As27S59. Čtyřhladinový dvou údolňový model byl navrhnut k výkladu pozorovaných fotoindukovaných změn optické šířky zakázaného pásu.	Ge-As-S
eng	Photo-Induced Changes of the Short Wawelength Absorption Edge in Some Ge-As-S Amorphous Thin Films.	In amorphous thin films Ge27As10S60 and Ge14As27S59 both the ireversible and reversible photo-induced changes of optical properties were studied. The four level - double - well model was suggested for observed photoinduced changes of the optical gap.	Ge-As-S

Search