Publikace detail

Influence of thickness on properties of YbxCo4Sb12 layers prepared by laser ablation

Rok: 2010

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Journal of Optoelectronics and Advanced Materials

Název nakladatele: National Institute of Optoelectronics

Místo vydání: Bukurešť

Strana od-do: 572-575

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Vliv tlouš´tky na vlastnosti vrstev YbxCo4Sb12 připravených laserovou ablací	Vliv tloušťky na termoelektrické vlatsnosti vrstev YbxCo4Sb12 připravených pulzní laserovou depozicí při energetické hustotě Ds=3 J/cm2 na substráty o teplotě Ts=250 °C . Teplotní závislosti termoelektrických vlastnosti (Seebeckův koeficient, elektrický odpor a „výkonový faktor“) připravených tenkých vrstev jsou prezentovány v teplotním rozsahu 300-500 K. Všechny výše uvedené vlastnosti vykazují „oscilační chování“ o periodě okolo 10 nm.	termoelektřina; tenké vrstvy; skutterudity
eng	Influence of thickness on properties of YbxCo4Sb12 layers prepared by laser ablation	The influence of thickeness on the thermoelectric properties of YbxCo4Sb12 layers prepared by pulse laser depositon at substrate temperature during the deposition Ts=250° C with energy density Ds=3 J/cm2. The thermoelectric preperties such as the Seebeck coefficient, the electrical resistivity and the power factor of thin layers are presented in the temperature range from 300 K to 500 K and shoved oscillatory behavior with period of about 10nm.	thermoelectrics; thin layers; skutterudites

Vyhledávání