Publikace detail

Optical measurements of silicon wafer temperature

Autoři: Aoyama M | Postava K | Mistrík Jan | Yamaguchi T | Shio K

Rok: 2007

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Applied Surface Science

Název nakladatele: Elsevier Science BV

Místo vydání: Amsterdam

Strana od-do: 416-419

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Optická měření teploty křemíkových substrátů	Měření teploty křemíkových substrátů nedestruktivní optickou sondou založenou na diferenciální detekci odrazivosti p a s polarizované vlny v diskrétních vlnových délkách
eng	Optical measurements of silicon wafer temperature	: An optical technique for precise, non-contact, and real time measurement of silicon wafer temperature that uses the polarized reflectivity ratio R-p/R-s is described. The proposed method is based on temperature dependence of the optical functions of silicon. Expected strong temperature sensitivity is obtained near band gap. Simultaneous monitoring of temperature and oxide layer thickness is discussed using measurements at four wavelength 365 nm, 405 nm, 546 nm, and 820 nm.	non-contact temperature measurement; silicon wafer; polarized reflectivity; ellipsometry

Search