Publikace detail

Optical measurements of silicon wafer temperature

Autoři: Postava | Aoyama | Mistrík Jan | Yamaguchi | Shio

Rok: 2007

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Applied Surface Science

Název nakladatele: Elsevier Science BV

Místo vydání: Amsterdam

Strana od-do: 416-419

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Optické měření teploty křemíkových substrátů	Popisuje optickou techniku pro přesné, nekontaktní měření v reálném čase křemíkových substrátů, které používá poměr polarizovaných reflektivit Rp/Rs. Navržená metoda je založena na teplotní závislosti optických parametrů křemíku. Nejsilnější teplotní závislost je pozorována poblíž optického gapu. Měření bylo provedeno pro čtyři vlnové délky 365 nm, 405 nm, 546 nm, and 820 nm.	Nekontaktní teplotní měření;křemíkový substrát;polarizované reflektivity;elipsometrie
eng	Optical measurements of silicon wafer temperature	An optical technique for precise, non-contact, and real time measurement of silicon wafer temperature that uses the polarized reflectivity ratio Rp/Rs is described. The proposed method is based on temperature dependence of the optical functions of silicon. Expected strong temperature sensitivity is obtained near band gap. Simultaneous monitoring of temperature and oxide layer thickness is discussed using measurements at four wavelength 365 nm, 405 nm, 546 nm, and 820 nm.	Non-contact temperature measurement;Silicon wafer;Polarized reflectivity;Ellipsometry

Vyhledávání