Přejít k hlavnímu obsahu

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

A comprehensive model of photoinduced volume change in arsenic chalcogenides by bandgap light
Autoři: Chen Gang | Jain Himanshu | Vlček Miroslav | Ganjoo Ashtosh
Rok: 2006
Druh publikace: článek v odborném periodiku
Název zdroje: Physical Review B
Název nakladatele: American Physical Society
Místo vydání: College Park
Strana od-do: 174203-174301
Tituly:
Jazyk Název Abstrakt Klíčová slova
cze Všeobecný model fotoindukovaných objemových změn v chalkogenidech arzenu při expozici bandgapovým zářením V práci jsou s využitím Xray difrakce a techniky EXAFS studovány in situ fotoindukované změny ve vrstvách As4Se3 při jejich expozici zářením o energii srovnatelné s optickou šářkou zakázaného pásu. Na základě získaných výsledků je navržen fenomologický model fotoindukovaných objemových změn v chalkogenidech As.
eng A comprehensive model of photoinduced volume change in arsenic chalcogenides by bandgap light Photoinduced structural changes in molecular semi-crystalline As4Se3 films have been characterized by extended X-ray absorption fine structure and X-ray diffraction under in situ bandgap laser illumination. Transient and permanent changes in the local and long range structure have been determined quantitatively. In contrast to fully amorphous arsenic selenide films, a photoinduced contraction has been observed in semi-crystalline As4Se3 films. A phenomenological model is proposed for the photoinduced volume change in As-based chalcogenides. This model is based on two competing processes viz. intermolecular interaction through Coulombic repulsive force that results in photoexpansion, and cross-linking of molecular units through bond-switching that causes photocontraction. A guideline is presented for selecting chalcogenide glass composition with specific photoinduced volume change characteristics photoinduced phenomena, EXAFS, XRD, chalcogenide glass