Publikace detail

The Power Factor of Bi(2-x)Tl(x)Se(3) Single Crystals

Autoři: Janíček Petr | Drašar Čestmír | Beneš Ludvík | Lošťák Petr

Rok: 2010

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Journal of Electronic Materials

Název nakladatele: Springer International Publishing AG

Místo vydání: Cham

Strana od-do: 1814-1817

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Power factor monokrystalů Bi(2-x)Tl(x)Se(3)	Modifikovanou Bridgmanovou metodou byly připraveny monokrystaly Bi(2-x)Tl(x)Se(3) (x = 0,0 - 0,1). Vzorky těchto krystalů byly charakterizovány měřením mřížkových parametrů a chemickou analýzou. Dále byla měřena teplotní Hallovy konstanty RH(B\|\|c), elektrické vodivosti a Seebeckova koeficientu S. Změny studovaných veličin ukázaly, že příměs atomů thalia v krystalové struktuře vyvolává snížení koncentrace volných elektronů a také dochází ke zvýšení pohyblivosti volných elektronů. Tyto efekty jsou vysvětleny představami o bodových poruchách v krystalové struktuře studovaných krystalů. Je předpokládáno, že příměs Tl vytváří substituční poruchy typu Tl(Bi) a zároveň snižuje koncentraci vakancí na místě po selenu V(Se)2+. Byla diskutována teplotní závislost power factoru připravených vzorků. Díky dopování Tl dochází k podstatnému zvýšení power factoru proti čistému Bi2Se3.	monokrystaly; úzkopásové polovodiče; termoelektrické vlastnosti; krystalové defekty
eng	The Power Factor of Bi(2-x)Tl(x)Se(3) Single Crystals	Single crystals of the ternary system Bi(2-x)Tl(x)Se(3) (nominaly x = 0.0-0.1) were prepared using the Bridgman technique. Samples with varying content of Tl were characterized by the measurement of lattice parameters, electrical conductivity, Hall coefficient RH(B\|\|c) and Seebeck coefficient S. The measurements indicate that incorporation of Tl into Bi2Se3 lowers the concentration of free electrons and enhances their mobility. This effect is explained within the framework of the point defects in the crystal lattice, with formation of substitutional defects of thallium in place of bismuth (Tl(Bi)) and a decrease in the concentration of selenium vacancies (V(Se)2+). The temperature dependence of the power factor of the samples is also discussed. As a consequence of the thallium doping we observe a significant increase of the power factor compared to parental Bi2Se3.	The; Power; Factor; Bi(2-x)Tl(x)Se(3); Single; Crystals

Vyhledávání

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte