Publikace detail

Defects in Bi(2)Te(3-x)Se(x) single crystals

Autoři: Lošťák Petr | Drašar Čestmír | Bachan David | Beneš Ludvík | Krejčová Anna

Rok: 2010

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Radiation Effects and Defects in Solids

Název nakladatele: Taylor & Francis Ltd.

Místo vydání: Abingdon

Strana od-do: 211-215

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Bodové defekty v monokrystalech Bi(2)Te(3-x)Se(x)	Monokrystaly ternárního systému Bi2Te3-xSex (x = 0.0-0.2) byly připraveny Bridgmannovou metodou. Vzorky s různou koncentrací Se byly charakterizovány měřením mřížkových parametrů, elektrické vodivosti a Hallova koeficientu. Koncentrace Se v připravených vzorcích byla zjištěna atomovou emisní spektroskopií. Zatímco malá koncentrace Se zvyšuje koncentraci děr, při vyšší koncentraci Se dochází k snížení koncentrace volných děr. Závislost koncentrace volných děr na koncentraci Se je vysvětlena změnou koncentrace nativních defektů díky substituci atomů Se na místa po atomech Te.	tetradymitové krystaly; Hallův koeficient; elektrická vodivost; bodové defekty
eng	Defects in Bi(2)Te(3-x)Se(x) single crystals	Single crystals of a ternary system based on Bi2Te3-xSex (nominally x = 0.0-0.2) were prepared using the Bridgman technique. Samples with varying content of Se were characterized by the measurement of lattice parameters, electrical conductivity sigma (perpendicular to c) and Hall coefficient RH(B parallel to c). The actual concentration of selenium c(Se) in the samples was determined using atomic emission spectroscopy. While a small selenium concentration enhances the free hole concentration P after passing a maximum, the hole concentration decreases at higher selenium concentrations. The extreme-like dependence P = f(c(Se)) is explained in terms of a change of the native defect concentration due to the substitution of selenium atoms by tellurium ones.	crystals of tetradymite structure; Hall coefficient; electrical conductivity; structural defects

Vyhledávání

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte