Přejít k hlavnímu obsahu

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Doping and Defect Structure of Tetradymite-Type Crystals
Autoři: Drašar Čestmír | Lošťák Petr | Uher Ctirad
Rok: 2010
Druh publikace: článek v odborném periodiku
Název zdroje: Journal of Electronic Materials
Název nakladatele: Springer International Publishing AG
Místo vydání: Cham
Strana od-do: 2162-2164
Tituly:
Jazyk Název Abstrakt Klíčová slova
cze Dopování a struktura defektů v krystalech tetradymitového typu Nestechiometrie tetradymitových krystalů A(2)(V)B(3)(VI), které rostou ze stechiometrické taveniny vede k tvorbě nativních defektů v krystalové mříži (zejména antistrukturních defektů A(B)(-1) a vakancí V(B)(+2) v aniontové podmřížce). Tato práce sumarizuje základní myšlenky týkající se modelu bodových defektů v monokrystalech A(2)(V)B(3)(VI). Dopování různými prvky vytváří možnosti interakce s nativními defekty. Tato interakce mění koncentraci volných nositelů, ovlivňuje efektivitu dopování a modifikuje transportní vlastnosti. Detailní pochopení struktury defektů v tetradymitových krystalech je podstatné z důvodu efektivity použití těchto materiálů jako aktivních elementů v termoelektrických chladičích. tetradymitové polovodiče; dopování; bodové defekty; fyzikální vlastnosti
eng Doping and Defect Structure of Tetradymite-Type Crystals Nonstoichiometry of tetradymite-type crystals A(2)(V)B(3)(VI) that are grown from stoichiometric melts leads to the formation of native defects in the crystal lattice (predominantly antisite defects, A(B)(-1) and vacancies V(B)(+2) in the anion sublattice). This paper summarizes the basic ideas concerning a point defect model in A(2)(V)B(3)(VI) crystals. It turns out that a variety of doping elements interact with the native defects. Such interactions alter the concentration of free charge carriers, affect the doping efficiency, and modify the transport properties. Detailed understanding of the defect structure in tetradymite-type crystals is very important as it impacts on the efficiency of these materials when used as active elements in thermoelectric coolers. Tetradymite semiconductors; doping; point defects; physical properties