Publikace detail

Oxygen assisted photoinduced changes in Ge39Ga2S59 amorphous thin film.

Rok: 2010

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Journal of Non-Crystalline Solids

Název nakladatele: Elsevier Science BV

Místo vydání: Amsterdam

Strana od-do: 2850-2857

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Fotoindukované změny ve filmu Ge39Ga2S59 za účasti kyslíku	Panenský GeGaS film jeví jen mírné změny po osvitu pomocí „gapových“ či „nadgapových“ fotonů, kdežto temperovaný film je vůči tomuto záření inertní. Osvit pomocí UV fotonů vede k dramatickým změnám povrchu panenských i temperovaných filmů způsobených oxidací filmu detekovaných pomocí infračervené spektroskopie (vznik vazeb Ge-O-Ge), Ramanovských spekter (O3Ge-O-GeO3) a mikroskopie s rastrující sondou (vznik částic mikrokrystalického GeO2).	amorfní chalkogenidové filmy; fotooxidace; AFM
eng	Oxygen assisted photoinduced changes in Ge39Ga2S59 amorphous thin film.	Virgin GeGaS film is only a little bleached by the illumination with the band gap or over band gap photons while the film annealed in the argon is practically insensitive to such illumination. Illumination by UV photons leads to significant changes in the surface topology of the virgin or annealed film originated from the film oxidation, which is supported by Fourier transform infrared spectroscopy (Ge-O-Ge bridge), the Raman feature (O3Ge-O-GeO3) and (iii) Atomic Force Microscopy (GeO2 microcrystalline particles).	amorphou chalcogenide films; photooxidation; AFM

Vyhledávání