Přejít k hlavnímu obsahu

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Properties of thin N-type Yb0.14Co4Sb12 and P-type Ce0.09Fe0.67Co3.33Sb12 skutterudite layers prepared by laser ablation.
Autoři: Zeipl R. | Walachová J. | Lorinčík J. | Leshkov S. | Josieková M. | Jelínek M. | Kocourek T. | Jurek K. | Navrátil Jiří | Beneš Ludvík | Plecháček Tomáš
Rok: 2010
Druh publikace: článek v odborném periodiku
Název zdroje: Journal of Vacuum Science & Technology. A: International Journal Devoted to Vacuum, Surfaces, and Films
Název nakladatele: American Institute of Physics
Místo vydání: Melville
Strana od-do: 523-527
Tituly:
Jazyk Název Abstrakt Klíčová slova
cze Vlastnosti tenkých vrstev N-typových Yb0.14Co4Sb12 and P-typových Ce0.09Fe0.67Co3.33Sb12 materiálů se strukturou skutteruditu připravených laserovou ablací. Jsou prezentovány vlastnosti tenkých termoelektrických vrstev (tlouštka okolo 60 nm) připravených laserovou ablací. . Terčíky pro laserovou ablaci byly připraveny metodou „lisování za horka“ z termolektrických materiálů s potencielně vysokými hodnotami parametru termoelektrické účinnosti ZT. P-typové a N-typové vrstvy byly připravené z terčiků o složení Yb0.19Co4Sb12 a Ce0.1Fe0.7Co3.3Sb12. Tenké vrstvy byly naneseny na skleněné substráty pomocí KrF excimerového laseru. Jednotlivé vrstvy byly připraveny při různých energetických hustotách laserového svazku (2 or 3 J cm(-2)) a při různých teplotách substrátu .Krystalinita a složení vrstev byla charakterizována metodami rentgenové difrakce a pomocí vlnově disperzní analýzy. Homogenita vrstev z hlediska obsahu Yb byla studována metodou SIMS. Termoelektrické vlastnosti (Seebeckův koeficient, elektrický odpor a termoelektrický „výkonový faktor“) jsou pro nejůepší připravené P- a N-typové vrstvy prezentovány v teplotním rozsahu 300-500°C. skutterudity; laserová ablace; termoelektrické vlastnosti
eng Properties of thin N-type Yb0.14Co4Sb12 and P-type Ce0.09Fe0.67Co3.33Sb12 skutterudite layers prepared by laser ablation. The properties of thin thermoelectric layers (about 60 nm in thickness) prepared by pulsed laser deposition are presented. Hot pressed targets were made from "middle" temperature range thermoelectric bulk materials with the potential high figure of merit ZT. P-type and N-type layers were prepared from Yb0.19Co4Sb12 and Ce0.1Fe0.7Co3.3Sb12 targets,respectively. The thin films were deposited on quartz glass substrates using KrF excimer laser. The individual layers were prepared by applying different laser beam energy densities (2 or 3 J cm(-2)) at several substrate temperatures. Crystallinity and composition of the layers were examined by x-ray diffraction and wavelength dispersive analysis,respectively. Homogeneity of Yb across a surface of the Yb filled film was explored by secondary ion mass spectrometry. The thermoelectric properties,the Seebeck coefficient, the electrical resistivity, and the power factor, for the best prepared P and N layer are presented in the temperature range from 300 to 500 K. skutterudites; laser ablation; thermoelectric