Publikace detail

Sputtering and pulsed laser deposition for near and mid-infrared applications: A comparative study of Ge25Sb10S65 and Ge25Sb10Se65 amorphous thin films.

Rok: 2011

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: International Journal of Applied Ceramic Technology

Název nakladatele: Wiley-Blackwell

Strana od-do: 990-1000

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Naprašování a pulzní laserová depozice pro aplikace v blízké a střední infračervené oblasti spektra: Srovnávací studie amorfních tenkých vrstev Ge25Sb10S65 a Ge25Sb10Se65.	V práci je prezentována srovnávací studie amorfních tenkých vrstev Ge25Sb10S65 a Ge25Sb10Se65 připravených naprašováním a pulzní laserovou depozicí v blízké a střední infračervené oblasti spektra.
eng	Sputtering and pulsed laser deposition for near and mid-infrared applications: A comparative study of Ge25Sb10S65 and Ge25Sb10Se65 amorphous thin films.	The deposition of Ge(25)Sb(10)S(65) and Ge(25)Sb(10)Se(65) amorphous chalcogenide thin films was performed by radio-frequency magnetron sputtering and pulsed laser deposition technique. The deposited layers were characterized by studying their morphology, topography, chemical composition, structure, and optical functions permitting a direct comparison of two deposition methods for obtaining attractive amorphous chalcogenide films. Reactive ion etching was then used to pattern rib/ridge waveguides in sulfide and selenide films with low surface roughness, vertical sidewalls, and reasonable etching rate. Optical losses of fabricated waveguides were measured at 1550 nm with values better than 1 dB/cm obtained for sulfide/selenide films deposited by both techniques.	sputtering;pulsed laser deposition;amorphous chalcogenides;thin films

Vyhledávání

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte