Publikace detail

Study of As50Se50 thin film photodarkening induced by multiple wavelength beams

Autoři: Pálka Karel | Vlček Miroslav | Mistrík Jan

Rok: 2011

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Journal of Optoelectronics and Advanced Materials

Název nakladatele: National Institute of Optoelectronics

Místo vydání: Bukurešť

Strana od-do: 1510-1513

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Studium fototmavnutí tenkých filmů As50Se50 indukovaného pulsy více vlnových délek	Tento článek studuje fototmavnutí indukované v chalkogenidových amorfních tenkých vrstvách o složení As50Se50. Byla měřena a diskutována kinetika fotoindukovaných změn vyvolaných expozicí vrstvy monochromatickou LED diodou s vlnovou délkou odpovídající gapu a s vlnovou délkou menší, resp. větší než je gap studovaného materiálu. Byla vytvořena matematická rovnice popisující časovou změnu fototmavnutí. S fototmavnutím spojené strukturní změny byly studovány také Ramanovou spektroskopií.	As-Se;tenké vrstvy;fototmavnutí
eng	Study of As50Se50 thin film photodarkening induced by multiple wavelength beams	This paper deals with study of photodarkening induced in chalcogenide glass thin films of composition As50Se50. The kinetics of photoinduced changes under the exposures to a band gap monochromatic beam of LED diode, as well as to beams with energy higher and lower than band gap value, were measured and discussed. Mathematical expression describing the time dependences of photodarkening was established. Related structural changes were studied using Raman spectroscopy as well.	As-Se;thin films;photodarkening

Vyhledávání