Publikace detail

Amorphous and crystallized Ge-Sb-Te thin films deposited by pulsed laser: local structure using Raman scattering spectroscopy

Rok: 2012

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Materials Chemistry and Physics

Název nakladatele: Elsevier Science SA

Místo vydání: Lausanne

Strana od-do: 935-941

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Amorfní a krystalické tenké vrstvy Ge-Sb-Te deponované pulzním laserem: lokální struktura užitím spektroskopie Ramanova rozptylu	Lokální struktura panenských (amorfních) i temperovaných (krystalických) tenkých vrstev (GeTe) x(Sb 2Te 3) 1-x, (x = 1, 0.66, 0.5, 0.33, and 0) byla studována pomocí spektroskopie Ramanova rozptylu.
eng	Amorphous and crystallized Ge-Sb-Te thin films deposited by pulsed laser: local structure using Raman scattering spectroscopy	The local structure of as-deposited (amorphous) as well as annealed (crystallized) (GeTe) x(Sb 2Te 3) 1-x, (x = 1, 0.66, 0.5, 0.33, and 0) thin films was studied using Raman scattering spectroscopy.	amorphous chalcogenides; Raman spectroscopy and scattering; thin films; pulsed laser deposition

Vyhledávání