Publikace detail

Crystal growth kinetics of Sb2S3 in Ge-Sb-S amorphous thin films

Autoři: Barták Jaroslav | Málek Jiří

Rok: 2012

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Journal of Thermal Analysis and Calorimetry

Název nakladatele: Springer

Strana od-do: 275-280

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Kinetika růstu krystalů Sb2S3 v amorfních filmech Ge-Sb-S	Kinetika růstu krystalů Sb2S3 v amorfních filmech Ge-Sb-S byla studována optickou mikroskopií při teplotách 575-623 K. Pro studium byla vybrána složení obsahující 40 a 50 mol.% GeS2 v Sb2S3. Z naměřených dat byla vypočtena aktivační energie růstu krystalů.	růst krystalů; tenké filmy; Ge-Sb-S; optická mikroskopie
eng	Crystal growth kinetics of Sb2S3 in Ge-Sb-S amorphous thin films	Sb2S3 crystal growth kinetics in (GeS2) (x) (Sb2S3)(1-x) thin films (x = 0.4 and 0.5) have been investigated through this study by optical microscopy in the temperature range of 575-623 K. Relative complex crystalline structures composed of submicrometer-thin Sb2S3 crystal fibers develop linearly with time. The data on temperature dependence of crystal growth rate exhibit an exponential behavior. Corresponding activation energies were found to be E (G) = 279 +/- A 7 kJ mol(-1) for x = 0.4 and E (G) = 255 +/- A 5 kJ mol(-1) for x = 0.5. These values are similar to activation energies of crystal growth in bulk glasses of the same compositions. The crystal growth is controlled by liquid-crystal interface kinetics. It seems that the 2D surface-nucleated growth is operative in this particular case. The calculated crystal growth rate for this model is in good agreement with experimental data. The crystal growth kinetic characteristic is similar for both the bulk glass and thin film for x = 0.4 composition. However, it differs considerably for x = 0.5 composition. Thermodynamic and kinetic aspects of crystal growth are discussed in terms of Jackson's theory of liquid-crystal interface.	crystal growth; thin films; Ge-Sb-S; optical microscopy

Vyhledávání

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte