Přejít k hlavnímu obsahu

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Preparation and transport properties of Bi2O2Se single crystals
Rok: 2012
Druh publikace: článek v odborném periodiku
Název zdroje: Journal of Electronic Materials
Název nakladatele: Springer International Publishing AG
Místo vydání: Cham
Strana od-do: 2317-2321
Tituly:
Jazyk Název Abstrakt Klíčová slova
cze Příprava a transportní vlastnosti monokrystalů Bi2O2Se Monokrystaly Bi2O2Se byly připraveny transportní reakcí v plynné fázi s teplotním gradientem. Pomocí X-ray difrakce byla zjištěna tetragonální krystalová struktura s mřížkovými parametry a = 0.38866 nm a c = 1.22001 nm. Vzorky byly charakterizovány měřením teplotní závislosti elektrické vodivosti, Hallova koeficientu a Seebeckova koeficientu v teplotním rozsahu od 80 K do 470 K. Za předpokladu jednoduchého parabolického modelu byla ze získaných experimentálních dat vypočítána redukovaná Fermiho energie. Odpovídající hodnota efektivní hmotnosti elektronu je přibližně 0.29. Pohyblivost volných elektronů je řízena rozptylem volných nositelů na akustických fononech. polovodiče; krystalový růst; elektrická vodivost
eng Preparation and transport properties of Bi2O2Se single crystals Bi2O2Se single crystals were grown by a gas-phase transport reaction with a temperature gradient. X-ray diffraction revealed that the products crystallized in a tetragonal-type lattice with lattice parameters a = 0.38866 nm and c = 1.22001 nm. The samples were characterized by measuring the electrical conductivity, Hall coefficient, and Seebeck coefficient as functions of temperature between 80 K and 470 K. The obtained experimental data allowed us to calculate the reduced Fermi level, provided that the single-valley parabolic model applied. The corresponding value of the electron effective mass proved to be m(ef) approximatelly 0.29. Free electron mobility is governed by the scattering of carriers by acoustic phonons. semiconductors; crystal growth; electrical transport