Přejít k hlavnímu obsahu

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Photosensitivity of pulsed laser deposited Ge20As20Se60 and Ge10As30Se60 amorphous thin films
Autoři: Hawlová Petra | Olivier Mélinda | Verger Frederic | Nazabal Virginie | Němec Petr
Rok: 2013
Druh publikace: článek v odborném periodiku
Název zdroje: Materials Research Bulletin
Název nakladatele: Pergamon-Elsevier Science Ltd.
Místo vydání: Oxford
Strana od-do: 3860-3864
Tituly:
Jazyk Název Abstrakt Klíčová slova
cze Fotocitlivost amorfních tenkých vrstvev Ge20As20Se60 a Ge10As30Se60 deponovaných pulzním laserem Pulzní laserovou depozicí byly připraveny amorfní tenké vrstvy Ge20As20Se60 a Ge10As30Se60. Připravené vrstevy jsou charakterizovány svou morfologií, chemickým složením a optickými vlastnostmi. Zvláštní pozornost je věnována fotocitlivosti vrstev, která byla studována spektroskopickou elipsometrií na vrstvách panenských, temperovaných a vrstvách exponovaných třemi různými laserovými zdroji (593, 635 a 660 nm). Výsledky ukazují lepší fotostabilitu tenkých vrstev Ge20As20Se60, u kterých byla nalezena fotoindukovaná změna optické šířky zakázaného pásu energií rovna či menší než 0,04 eV and tyto vrstvy vykazují téměř nulovou změnu indexu lomu. amorfní materiály; laserová depozice; tenké vrstvy; chalkogenidy; optické vlastnosti
eng Photosensitivity of pulsed laser deposited Ge20As20Se60 and Ge10As30Se60 amorphous thin films Amorphous Ge20As20Se60 and Ge10As30Se60 thin films are fabricated by pulsed laser deposition. Prepared films are characterized in terms of their morphology, chemical composition, and optical properties. Special attention is given to the photosensitivity of the layers, which was studied by spectroscopic ellipsometry with as-deposited, annealed and exposed films by three different laser sources (593, 635, and 660 nm). The results show better photostability for Ge20As20Se60 thin films, where photoinduced change of optical band gap was found to be equal or less than 0.04 eV and these layers present almost zero photorefraction. amorphous materials; laser deposition; thin films; chalcogenides; optical properties