Publikace detail

Tuning the free electron concentration in Sr-doped Bi2Se3

Rok: 2013

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Journal of Physics and Chemistry of Solids

Název nakladatele: Pergamon-Elsevier Science Ltd.

Místo vydání: Oxford

Strana od-do: 746-750

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Ladění koncentrace volných elektronů v monokrystalech Bi2Se3 dopovaných stronciem	Monokrystaly Bi2Se3 dopované stronciem byly vypěstovány z vysoce čistých prvků. Připravené monokrystaly byly charakterizovány pomocí rentgenové difrakce. Atomová emisní spektrometrie s indukčně vázaným plazmatem (ICP-AES), byla použita pro určení skutečné koncentrace stroncia ve studovaných vzorcích. Transportní vlastnosti byly měřeny u všech vzorků. Seebeckův koeficient, S, Hallův koeficient RH, a elektrická vodivost sigma, byly měřeny v rozsahu teplot od 80 K do 470 K. Tyto údaje naznačují akceptorové chování stroncia v Bi2Se3. Byla provedena podrobná studie o účinnosti dopování stronciem. Zajímavé je, že Hallova mobilita volných nosičů se zvyšuje výrazně při dopování Stronciem. Tento účinek byl kvalitativně vysvětlen modelem bodových defektů v krystalové mřížce BI2-xSrxSe3, a to pomocí poklesu koncentrace rozptylových center.	chalkogenidy; krystalový růst; transportní vlastnosti
eng	Tuning the free electron concentration in Sr-doped Bi2Se3	Single crystals of Bi2Se3 doped with strontium were grown from high purity elements. The prepared single crystals were characterized using x-ray diffraction. Inductively coupled plasma atomic emission spectroscopy (ICP-AES) was used to determine the actual concentrations of strontium in the studied samples. The transport properties were measured for all of the samples. The Seebeck coefficient, S, the Hall coefficient RH, and the electrical conductivity sigma, were measured in the temperature range from 80 K to 470 K. These data indicated acceptor-like behavior of strontium in Bi2Se3. A detailed study of the doping efficiency of strontium was performed. Interestingly, the Hall mobility of the free carriers increases markedly upon doping with Sr. This effect was qualitatively explained within a model of point defects in the crystal lattice of Bi2-xSrxSe3, which implied a decrease in the concentration of scattering centers.	chalcogenides; crystal growth; transport properties

Vyhledávání

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte