Publikace detail

High-pressure studies of topological insulators Bi2Se3, Bi2Te3, and Sb2Te3

Rok: 2013

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Physica Status Solidi B: Basic Solid State Physics

Název nakladatele: Wiley-VCH

Místo vydání: Weinheim

Strana od-do: 669-676

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Studie topologických izolátorů Bi2Se3, Bi2Te3 a Sb2Te3 za vysokých tlaků	Bi2Se3, Bi2Te3, a Sb2Te3 jsou úzkopásové polovodiče s tetradymitovou krystalovou strukturou (R-3m), které byly rozsáhle studovány spolu s jejich slitinami vzhledem k jejich slibnému použití jako termoelektrických materiálů v rozsahu teplot mezi 300 a 500 K. Počet studií těchto vrstvnatých polovodičů výrazně vzrostl v posledních letech, protože bylo nedávno předpovězeno a prokázáno, že se chovají jako 3D topologické izolátory. Zejména řada studií za vysokých tlaků byla provedena v posledních letech na těchto materiálech. V této práci jsou shrnuty hlavní výsledky studií za vysokých tlaků doposud provedených v této skupině polovodičů. Zejména jsou shrnuty nedávné výsledky, které se zaměřují na hlavní charakteristiky tlakem vyvolaného elektronového topologické přechodu a strukturních fázových přechodů pozorovaných v této skupině sloučenin. Budoucí studie za vysokých tlaků na těchto 3D topologických izolátorech jsou také komentovány.	Bi2Se3; Bi2Te3; vysoký tlak;Sb2Te3; topologické izolátory
eng	High-pressure studies of topological insulators Bi2Se3, Bi2Te3, and Sb2Te3	Bi2Se3, Bi2Te3, and Sb2Te3 are narrow bandgap semiconductors with tetradymite crystal structure (R-3m) which have been extensively studied along with their alloys due to their promising operation as thermoelectric materials in the temperature range between 300 and 500 K. Studies on these layered semiconductors have increased tremendously in the last years since they have been recently predicted and demonstrated to behave as 3D topological insulators. In particular, a number of high-pressure studies have been done in the recent years in these materials. In this work we summarize the main results of the high-pressure studies performed in this family of semiconductors to date. In particular, we review recent results that address the main characteristics of the pressure-induced electronic topological transition and structural phase transitions observed in this family of compounds. Future high-pressure studies to be performed on these 3D topological insulators are also commented.	Bi2Se3; Bi2Te3; high pressure; Sb2Te3; topological insulators

Vyhledávání

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte