Publikace detail

THz photoconductivity in a-Si:H

Autoři: Shimakawa Koichi | Wágner Tomáš | Frumar Miloslav

Rok: 2013

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Physica Status Solidi B: Basic Solid State Physics

Název nakladatele: Wiley-VCH

Místo vydání: Weinheim

Strana od-do: 1004-1007

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	THz fotovodivost v a-Si:H	Přestože ustálená sekundární fotovodivost v amorfních polovodičích je docela dobře prostudována, přenos fotonosičů proudu v řádu pikosekund (THz region při použití frekvencí) stále není jasný. Frekvenční odezva nosičů proudu s krátkou dobou života v THz oblasti je zde studována v a-Si:H. Thz fotovodivost je vysoce ovlivněna nehomogenitami o velikosti v řádu 10 nm pocházejících s fluktuací potenciálu. Toto chování je v podstatě stejné jako je pozorováno v rozsahu rádiových frekvencí (RF).	a-Si:H; fotovodivost; THz vodivost
eng	THz photoconductivity in a-Si:H	Although the steady-state secondary photoconductivity in amorphous semiconductors is fairly well understood, photocarrier transport with a subpicosecond time resolution (the THz region in the frequency domain) is still not clear. The frequency response of short-lived photocarriers in the THz region is discussed in a-Si:H here. It is shown that THz-photoconductivity is highly influenced by the mesoscopic inhomogeneity (10-nm scale) originating from potential fluctuations. This behavior is basically the same as observed in the radio-frequency (RF) range.	a-Si:H; photoconductivity; THz conductivity

Vyhledávání