Publikace detail

Terahertz and direct current losses and the origin of non-Drude terahertz conductivity in the crystalline states of phase change materials

Rok: 2013

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Journal of Applied Physics

Název nakladatele: American Institute of Physics

Místo vydání: Melville

Strana od-do: "233105-1"-"233105-7"

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Terahertzové a stejnosměrné ztráty a původ nedrudeho terahertzové vodivosti v krystalické fázi pamětí se změnou fází	THz a DC ztráty v krystalickém stavu GeSbTe a AgInSbTe systému materiálů se změnou fází jsou znovu prozkoumány a diskutovány. Přestože jednoduchý přenos volných nositelů byl předpokládán v systému GeSbTe (GST), výsledky nedávných experimentů ukazují, že série sekvencí přenosu uvnitř zrn a mezi zrny, jak nedávno formuloval Shimakawa et al., "The origin of non-Drude terahertz conductivity in nanomaterials," Appl. Phys. Lett. 100, 132102 (2012) může převažovat elektronový transport v komerčně dostupných systémech GST. Získané fyzikální parametry, jako např. hustota volných nositelů proudu a pohyblivost jsou výrazně odlišné od těch získaných podle Drudeho zákona. Tyto fyzikální parametry jsou v souladu s daty získanými ze stejnosměrných ztrát a poskytují další podporu pro tento model. Záporná hodnota teplotního koeficientu odporu je pozorována dokonce i v kovovém stavu, podobně jako v amorfních kovech, když je střední volná dráha krátká. Koncept minima kovové vodivosti často používaný v přenosu kov-izolátor nemůže být aplikován pro elektronové přechody v těchto materiálech.	THz vodivost, fázové paměti
eng	Terahertz and direct current losses and the origin of non-Drude terahertz conductivity in the crystalline states of phase change materials	THz and DC losses in crystalline states of GeSbTe and AgInSbTe phase-change material systems are re-examined and discussed. Although a simple free carrier transport has been assumed so far in the GeSbTe (GST) system, it is shown through recent experimental results that a series sequence of intragrain and intergrain (tunneling) transport, as recently formulated in Shimakawa et al., "The origin of non-Drude terahertz conductivity in nanomaterials," Appl. Phys. Lett. 100, 132102 (2012) may dominate the electronic transport in the commercially utilized GST system, producing a non-Drude THz conductivity. The extracted physical parameters such as the free-carrier density and mobility are significantly different from those obtained from the Drude law. These physical parameters are consistent with those obtained from the DC loss data, and provide further support for the model. Negative temperature coefficient of resistivity is found even in the metallic state, similar to amorphous metals, when the mean free path is short. It is shown that the concept of minimum metallic conductivity, often used in the metal-insulator transition, cannot be applied to electronic transport in these materials. (C) 2013 AIP Publishing LLC.	THz conductivity; phase change memory

Vyhledávání

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte