Publikace detail

Tuning the Temperature Domain of Phonon Drag in Thin Films by the Choice of Substrate

Autoři: Wang Guoyu | Endicott Lynn | Chi Hang | Lošťák Petr | Uher Ctirad

Rok: 2013

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Physical Review Letters

Název nakladatele: American Physical Society

Místo vydání: College Park

Strana od-do: "046803-1"-"046803-5"

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Zjištění závislosti změny teplotní závislosti tenkých vrstev v závislosti na použité podložce	V práci je předloženo zjištění závislosti pozorované změny teplotní závislosti tenkých vrstev Bi2Te3 v závislosti na použité podložce.	Bi2Te3;tenká vrstva;teplotní závislost
eng	Tuning the Temperature Domain of Phonon Drag in Thin Films by the Choice of Substrate	At low temperatures, in reasonably pure conductors subjected to a thermal gradient, charge carriers (electrons and holes) are swept (dragged) by out of equilibrium phonons, giving rise to a large contribution to the Seebeck coefficient called phonon drag. We demonstrate a spectacular influence of substrate phonons on charge carriers in thin films of Bi2Te3. We show that one can control and tune the position and magnitude of the phonon-drag peak over a wide range of temperatures by depositing thin films on substrates with vastly different Debye temperatures. Our experiments also provide a way to study the nature of the phonon spectrum in thin films, which is rarely probed but clearly important for a complete understanding of thin film properties and the interplay of the substrate and films.	2-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS;THERMOPOWER;BI2TE3;SYSTEMS

Vyhledávání