Publikace detail

Crystal growth kinetics in GeS2 amorphous thin films

Autoři: Podzemná Veronika | Barták Jaroslav | Málek Jiří

Rok: 2014

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Journal of Thermal Analysis and Calorimetry

Název nakladatele: Springer

Strana od-do: 775-781

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Kinetika růstu krystalů v GeS2 amorfních tenkých vrstvách	Kinetika růstu krystalů GeS2 v podchlazené tavenině byla studována optickou mikroskopií. lineární růst krystalů byl sledován v teplotním rozsahu 672-711 K v tenkých vrstvách. Aktivační energie růstu byla stanovena. Závislost rychlosti růstu krystalů na teplotě byla fitována 2D povrchově nukleačním růstovým modelem.	růst krystalů; chalkogenidy; GeS2; optická mikroskopie
eng	Crystal growth kinetics in GeS2 amorphous thin films	The crystal growth kinetics of germanium disulfide in undercooled melts has been studied by optical microscopy under isothermal conditions. The linear growth kinetics of GeS2 has been observed in the temperature range 672 - 711 K in thin film samples. The activation energy of crystal growth assuming Arrhenius behavior has been determined as E (G) = 166 +/- A 8 kJ mol(-1) for thin film samples. From the dependence of reduced growth rate on undercooling, the interface driven 2-D surface nucleated model was estimated.	Crystal growth; Chalcogenides; Germanium disulfide; Optical microscopy

Vyhledávání