Publikace detail

Thermoelectric properties of Tl-doped SnSe – a hint of phononic structure

Rok: 2016

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Journal of Electronic Materials

Název nakladatele: Springer International Publishing AG

Místo vydání: Cham

Strana od-do: 2943-2949

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Termoelektrické vlastnosti SnSe dotovaného thalliem - náznak fononické struktury	Z prvků polovodičové čistoty byly připraveny polykrystalické vzorky o složení Sn1-xTlxSe (kde x = 0 – 0.04). U všech vzorků byla pomocí práškové rentgenové difrakční analýzy určena jejich fázová čistota. Vzorky k měření transporních parametrů byly kompaktovány metodou lisování za tepla. Tyto byly dále charakterizovány měřením teplotních závislostí elektrické vodivosti, Hallova koeficientu, Seebeckova koeficientu a tepelné vodivosti. Měření probíhala v teplotním intervalu od 300 do 725 K. Všechny připravené vzorky vykazovaly vodivost typu P. Přídavky Dopace Tl značně zvyšovala koncentraci volných nositelů proudu - děr (VNP). V publikaci je diskutován vliv dopace Tl na koncentraci VNP a termoelektrickou účinnost. Vyšetření termoelektrických vlastností ukazuje znatelný nárůst hodnoty termoelktrického parametru ZT - Zt = 0.6 při T = 725 K.	polovodiče; chalkogenidy; rentgenová difrakce; transportní a termoelektrické vlastnosti
eng	Thermoelectric properties of Tl-doped SnSe – a hint of phononic structure	Polycrystalline samples of composition Sn1-xTlxSe (for x = 0 – 0.04) were synthesized from elements of 5N purity at elevated temperatures. The phase purity of the products was verified by X-ray diffraction. The samples for measurement of the transport properties were prepared using hot pressing. The samples were then characterized by measurement of the electrical conductivity, the Hall coefficient, the Seebeck coefficient, and the thermal conductivity over a temperature range of 300 – 725 K. All of the samples demonstrate p-type conductivity. Tl markedly enhances the carrier concentration. We discuss the influence of Tl substitution on the free carrier concentration and the thermoelectric performance. The investigation of the thermoelectric properties shows an order of magnitude improvement, with ZT reaching 0.6 at 725 K. We discuss the distinctive nature of the thermal conductivity of SnSe.	semiconductors; chalcogenides; X-ray diffraction; transport properties; thermoelectric properties

Vyhledávání

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte