Publikace detail

Investigation of the resistive switching in AgxAsS2 layer by conductive AFM

Rok: 2016

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Applied Surface Science

Název nakladatele: Elsevier Science BV

Místo vydání: Amsterdam

Strana od-do: 336-340

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Vyšetřování odporového spínání v AgxAsS2 vrstvách pomocí vodivostní AFM	V tomto článku je reportována studie odporového spínání založená na využití vodivostní mikroskopie atomárních sil (AFM). Dvě odlišné oblasti byly vytvořeny na povrchu (vodivá a nevodivá oblast) jako výsledek různých "bias" napětí. Obě oblasti byly analyzovány pomocí proudového mapování. Objemové změny korespondující s růstem Ag částic byly odvozeny z topologických map a nahrány souběžně s proudovými mapami. Na základě výsledků a s ohledem na distribuci volných nositelů proudu Ag iontů byl předpovězen mechanismus tvorby Ag vláken.	tenká vrstva; odporové spínání; vodivostní AFM
eng	Investigation of the resistive switching in AgxAsS2 layer by conductive AFM	In this paper, a study of resistive switching in AgxAsS2 layer, based on a utilization of conductive atomic force microscope (AFM), is reported. As the result of biasing, two distinct regions were created on the surface (the conductive region and non-conductive region). Both were analysed from the spread current maps. The volume change, corresponding to the growth of Ag particles, was derived from the topological maps, recorded simultaneously with the current maps. Based on the results, a model explaining the mechanism of the Ag particle and Ag filament formation was proposed from the distribution of charge carriers and Ag ions.	Thin film; Resistive switching; Conductive AFM

Vyhledávání

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte