Publikace detail

Pulsed laser deposited GeTe-rich GeTe-Sb2Te3 thin films

Rok: 2016

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Scientific Reports

Název nakladatele: Nature Publishing Group

Místo vydání: London

Strana od-do: "26552-1"-"26552-10"

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	GeTe bohaté tenké vrstvy GeTe-Sb2Te3 deponované pulzním laserem	Pulzní laserová depozice byla použita pro přípravu GeTe bohatých amorfních tenkých vrstev GeTe-Sb2Te3 (Ge6Sb2Te9, Ge8Sb2Te11, Ge10Sb2Te13 a Ge12Sb2Te15). Pro určení vlivu obsahu GeTe v deponovaných tenkých vrstvách na fyzikálně-chemické vlastnosti Ge-Sb-Te materiálů byly panenské (amorfní) a temperované (krystalické) vrstvy charakterizovány skenovací elektronovou mikroskopií s energiově-disperzní rentgenovou analýzou, rentgenovou difrakcí a reflektometrií, mikroskopií atomárních sil, spektroskopií Ramanova rozptylu, optickou reflektivitou a teplotními závislostmi plošného elektrického odporu.	fázová změna; tenké vrstvy; chalkogenidy; pulzní laserová depozice
eng	Pulsed laser deposited GeTe-rich GeTe-Sb2Te3 thin films	Pulsed laser deposition technique was used for the fabrication of Ge-Te rich GeTe-Sb2Te3 (Ge6Sb2Te9, Ge8Sb2Te11, Ge10Sb2Te13, and Ge12Sb2Te15) amorphous thin films. To evaluate the influence of GeTe content in the deposited films on physico-chemical properties of the GST materials, scanning electron microscopy with energy-dispersive X-ray analysis, X-ray diffraction and reflectometry, atomic force microscopy, Raman scattering spectroscopy, optical reflectivity, and sheet resistance temperature dependences as well as variable angle spectroscopic ellipsometry measurements were used to characterize as-deposited (amorphous) and annealed (crystalline) layers. Upon crystallization, optical functions and electrical resistance of the films change drastically, leading to large optical and electrical contrast between amorphous and crystalline phases. Large changes of optical/electrical properties are accompanied by the variations of thickness, density, and roughness of the films due to crystallization. Reflectivity contrast as high as similar to 0.21 at 405 nm was calculated for Ge8Sb2Te11, Ge10Sb2Te13, and Ge12Sb2Te15 layers.	phase-change; thin films; chalcogenides; pulsed laser deposition

Vyhledávání

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte