Přejít k hlavnímu obsahu

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Structural origin of surface transformations in arsenic sulfide thin films upon UV-irradiation
Autoři: Kovalskiy Andriy | Vlček Miroslav | Pálka Karel | Bůžek Jan | York-Winegar James | Oelgoetz Justin | Golovchak Roman | Shpotyuk Oleh | Jain Himanshu
Rok: 2017
Druh publikace: článek v odborném periodiku
Název zdroje: Applied Surface Science
Název nakladatele: Elsevier Science BV
Místo vydání: Amsterdam
Strana od-do: 604-612
Tituly:
Jazyk Název Abstrakt Klíčová slova
cze Strukturní původ povrchových transformací v tenkých vrstvách sulfidu arsenitého vyvolaných UV expozicí Fotostrukturální tranformace ve vrstvách AsxS100-x (x = 30, 33, 35, 40) vyvolané vlivem expozice LED zářením různých vlnových délek jak na vzduchu, tak i v argonu byla studována metodou XPS, Ramanovou spektroskopií a metodou LEIS. Tyto komplementární výsledky ukazují, že světlo o energii blízké optické šířce zakázaného pásu nemění chemické složení povrchu, ale indukuje jednoduché fotopolymerizační reakce. UV záření však výrazně zvyšuje poměr As/S na povrchu materiálu díky formaci na síru bohaté vrstvy v obou použitých prostředích. Za účelem vysvětlení pozorovaných změn byl navržen mechanismus fotoindukovaného odparu jak oxidových, tak i neoxidových molekul (ve tvaru klece). iontový rozptyl; chalkogenidová skla; photostruturní změny; amorfní As2S3; spektroskopie; závislost; vlnová délka; systém; model; atomy
eng Structural origin of surface transformations in arsenic sulfide thin films upon UV-irradiation Photostructural transformations within AsxS100-x (x = 30, 33, 35, 40) thin films upon exposure to LED light of different wavelengths, in both air and argon environments have been studied by high resolution XPS, Raman spectroscopy and LEIS methods. These complementary results show that light of energies close to the band gap does not modify chemical composition of the surface, but induces simple photopolymerization reactions. Superbandgap UV light, however, significantly increases S/As ratio on the surface due to formation of S-rich layer under both environmental conditions. It is proposed that photovaporization of both oxide and non-oxide cage-like molecules is responsible for the observed effect. energy ion-scattering; chalcogenide glasses; photostructural changes; amorphous As2S3; spectroscopy; dependence; wavelength; system; model; atoms