Publikace detail

The function of buffer layer in resistive switching device

Rok: 2017

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Chalcogenide Letters

Název nakladatele: National Institute for R&D in Material Physics

Místo vydání: Bucharest

Strana od-do: 291-295

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Funkce vymezující vrstvy v zařízení pro odporové spínání	Odporové RAM paměti jsou slibnými pamětmi pro nahrazení tradiční paměťové technologie a vymezující vrstvy hraje důležitou roli v elektrolytech na bázi chalkogenidů. Avšak stále je nedostatek přesvědčujících experimentálních výsledků s ohledem na mechanismus vymezující vrstvy. V tomto článku byly připraveny dvě sady zařízení s různou pozicí vymezující vrstvy, které dokazují, že vymezující vrstva usnadňuje nukleaci Ag vláken.	odporové spínání; vymezující vrstva; chalkogenidové sklo
eng	The function of buffer layer in resistive switching device	The resistive random access memory is promising to replace the traditional memory technology and the buffer layer plays an important role in chalcogenide based electrolytes. However, there is still lack of convincing experimental result regarding with the mechanism of buffer layer. In this letter, two sets of devices were designed with different position of buffer layer, which proves the buffer layer facilitates the nucleation of Ag filaments.	Resistive switching; buffer layer; chalcogenide glass

Search