Publikace detail

Nucleation and crystal growth in (GeS2)0.1(Sb2S3)0.9 thin films

Autoři: Martinková Simona | Barták Jaroslav | Shánělová Jana | Málek Jiří

Rok: 2017

Druh publikace: ostatní - článek ve sborníku

Název zdroje: Termoanalytický seminář TAS 2017 : sborník příspěvků

Název nakladatele: Česká společnost chemická

Místo vydání: Praha

Strana od-do: 96-98

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
eng	Nucleation and crystal growth in (GeS2)0.1(Sb2S3)0.9 thin films	The nucleation in (GeS2)0.1(Sb2S3)0.9 thin films was studied using single-stage microscopy measurement. The temperature range in which the measurements were performed was from 245°C to 300 °C. The studied system exhibits homogenous nucleation. The nucleation can be described in terms of classical nucleation theory. Temperature dependence of nucleation and crystal growth rtes were found to be significantly overlapping.	nucleation; chalcogenide glass; microscopy

Search